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EPC는 고성능 48V 동기식 정류를 위해 현재 사용되는 디바이스 보다 더 작고, 더 효율적이며, 더 안정적이고, 저렴한 디바이스를 설계자들에게 제공하기 위해 170V, 6.8mΩ의 EPC2059 eGaN FET를 출시했다.

인핸스먼트 모드(Enhancement Mode) 질화갈륨 기반 전력 FET 및 IC 분야의 세계적인 선도기업인 EPC(Efficient Power Conversion)는 상용 질화갈륨 트랜지스터의 비용은 낮추면서도 성능을 향상시킨 EPC2059(6.8mΩ, 170V) eGaN FET를 출시했다. 이 디바이스는 광범위한 전력 레벨과 가격대에 적용할 수 있는 최신 100V ~ 200V 솔루션 제품군으로, 게임용 PC나 LCD/LED TV, LED 조명과 같은 하이엔드 컴퓨팅을 위한 48V ~ 56V 서버 및 데이터센터 제품은 물론, 다양한 컨수머 전원공급장치 애플리케이션의 증가하는 수요를 충족시키기 위해 설계되었다. 

EPC2059는100W ~ 6kW에 이르는 전력범위의 전원공급장치와 AD/DC 어댑터 및 고속 충전기의 DC-DC 2차측 동기식 정류에 매우 적합하다. 이 질화갈륨 디바이스의 성능 이점은 설계자가 80 플러스 티타늄(Plus Titanium) 전원공급장치에 대한 까다로운 효율성 요건을 충족하는 동시에, 현재 공급되는 솔루션 보다 낮은 시스템 비용으로 더 작고, 빠르고, 전력 효율적인 경량의 시스템을 구현할 수 있도록 해준다.

EPC의 공동창업자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “AC/DC 어댑터 소켓의 2차측 동기식 정류에 GaN을 사용하면 상당한 성능 혜택을 얻을 수 있다. 400V를 48V로 변환하고, 1MHz로 스위칭하는 GaN은 손실을 6분의 1로 줄일 수 있어 저항이 동일한 실리콘 MOSFET에 비해 온도를 10도 더 낮출 수 있다. 이를 통해 폭발적으로 성장하고 있는 AI(Artificial Intelligence)와 클라우드 컴퓨팅 및 하이엔드 게임 시스템과 같은 여러 애플리케이션의 첨단 컴퓨팅을 위한 최신의 엄격한 에너지 효율 표준을 충족할 수 있다.”고 밝혔다.

개발 보드

EPC9098 개발 보드는 170V의 최대 디바이스 전압과 25A의 최대 출력 전류, 온보드 게이트 드라이버를 갖춘 하프 브리지로 구성되어 있으며, EPC2059 eGaN FET를 갖추고 있다. 크기가 50.8mm x 50.8mm에 불과한 이 보드는 최적의 스위칭 성능을 위해 설계되었으며, EPC2059를 손쉽게 평가할 수 있도록 중요한 구성요소를 모두 포함하고 있다.