넥스페리아, 업계를 선도하는 낮은 역 복구 전하량 성능지수의 80 V/100 V MOSFET 생산 개시

2021년 06월 26일

넥스페리아 맨체스터의 새로운 8인치 팹 라인에서 자사의 최신 NexPower 실리콘 기술을 활용해 낮은 온 저항값(RDS(on)), 낮은 역 복구 전하량 (Qrr) 80 V 및 100 V MOSFET을 생산하게 된다고 발표했다.

즉시 생산이 확대될 이 새로운 웨이퍼 라인에서 공급되는 PSMN3R9-100YSF (100 V) 및 PSMN3R5-80YSF (80 V) 소자는 업계에서 가장 낮은 역 복구 전하량 (Qrr) 으로 최고의 성능지수 (Figure of Merit (RDS(on) x Qrr))을 특징으로 한다.

넥스페리아의 제품 담당 매니저 인 마이크 베커 (Mike Becker)는 "현재의 전 세계적인 반도체 부족 현상을 감안할 때 넥스페리아의 맨체스터, 필리핀 등 글로벌 제조 현장에서 이뤄지는 MOSFET 생산량 증대를 위한 투자는 고객사들에게 희소식”이라며 “제품 설계자들은 이 새로운 MOSFET의 성능에 매우 만족할 것이다. 이 소자들은 여러 스위칭 기능이 수반되는 애플리케이션에 매우 적합하므로 다른 공급업체들의 제품을 대체하게 될 것이다”라고 언급했다.

NextPower 80 V 및 100 V 실리콘 MOSFET은 이전 세대 제품의 7mΩ에서 4.3mΩ으로 온 저항값 (RDS(on))를 크게 개선해 효율성을 높였다. 이 NextPower 기술은 또한 스파이크와 EMI 배출을 줄이게 하는 100V 부품에 대해 44nC의 동급 최강으로 낮은 역 복구 전하량 (Qrr)값을 가능하게 한다. 100 V 제품에 관한 역 복구 전하량 (Qrr) 성능지수 (Figure of Merit) 수치는 경쟁사의 소자들보다 대체로 평균 61 % 낮다.

이 두 MOSFET들은 넥스페리아의 열 및 전기적 고성능 LFPAK56E 구리 클립 기술 패키지로 제공된다. 이 제품들은 또한 AC/DC, DC/DC 및 모터 제어를 포함해 광범위한 스위칭 애플리케이션에 적합하다.