반도체 전문 온라인 매거진 - 올포칩

8번째 브릭 사이즈로 쿼터 브릭의 전력을 제공하는 EPC9149는 최대의 전력밀도를 위해 1MHz에서 스위칭하는 eGaN FET를 사용하여 1kW의 전력을 제공한다. 

EPC는 4:1의 변환 비율로 DC 트랜스포머로 동작하는 1kW 지원, 48V 입력 및 12V 출력의 LLC 컨버터인 EPC9149를 출시한다고 밝혔다. 이 데모 보드는 100V EPC2218 및 40V EPC2024 GaN FET를 갖추고 있다.

​

이 보드는 DOSA-표준 ⅛th 브릭 포맷 사이즈로 크기가 58.4mm x 22.9mm에 불과하다. 이는 일반적으로 ¼th 브릭 포맷 사이즈인 실리콘 기반 솔루션에 비해 크기가 매우 작다. 또한 히트싱크를 사용하지 않기 때문에 전체 두께도 100mm에 불과하다. EPC는 전원공급장치 설계자들이 이 설계를 쉽게 복제할 수 있도록 회로도와 BoM(Bill of Materials) 및 거버 파일을 포함한 모든 지원 자료를 EPC 웹사이트에서 제공하고 있다.

​

이 데모 보드는 EPC GaN FET 기술을 이용해 1,226W/in³에 이르는 높은 전력밀도를 달성했다. eGaN FET는 높은 스위칭 주파수(이 경우 1MHz)로 동작이 가능하기 때문에 유사한 온저항에서 실리콘 MOSFET에 비해 3분의 1정도로 크기를 줄일 수 있다. EPC9149 보드는 1차측 정류를 위해 4개의 100V 정격 EPC2218 eGaN FET와 2차측 동기식 정류를 위해 8개의 40V 정격 EPC2024 eGaN FET를 갖추고 있다. 또한 이 보드는 유연하게 구성 및 통신, 프로그램이 가능하도록 4mm x 4mm의 마이크로칩(Microchip) dsPIC33CKMP102T-I/M6을 내장하고 있다.

​

이 새로운 데모 보드는 36V에서 60V 범위의 입력전압으로 동작할 수 있으며, 최대 83.3A의 부하 전류를 제공한다. 48V-12V에서 피크 효율은 98%이고, 12V에서 1kW를 제공하는 경우 전체 부하 효율은 97%이다. 400 LFM 기류에서 최대 부하로 정상 상태 동작 시 최고 온도는 88°C이며, 이는 최대 접합온도 95°C에 해당한다.

EPC의 알렉스 리도우(Alex Lidow) CEO는 “eGaN FET 및 IC는 48V-12V 컨버터의 전력밀도를 높일 수 있으며, 더 작은 크기와 더 높은 전력을 필요로 하는 데이터센터 애플리케이션의 요구사항을 해결할 수 있다. 또한 마이크로칩의 디지털 컨트롤러를 사용하여 EPC9149 데모 보드를 유연하게 프로그램하고, 구성할 수 있다.”고 밝혔다.

EPC9149는 테스트를 간소화할 수 있도록 마더보드와 함께 제공된다.