EPC, APEC2020에서 다양한 산업 분야의 전력공급 방식을 변화시키는 GaN 기술 선보인다

2020년 03월 06일

EPC 팀은 3월 15일부터 19일까지 뉴올리언스에서 개최되는 APEC 2020에서 질화갈륨(GaN) 기술 및 애플리케이션에 대한 11개의 기술 프리젠테이션을 발표할 예정이다.(세부일정은 아래 참조) 또한 EPC는 전용 부스(1847번)에서 다양한 고객의 최종 제품에 적용된 최신 eGaN® FET 및 IC에 대한 데모를 선보인다.

48V DC-DC 컨버터

EPC는 모든 기능을 단일 GaN-on-Si 집적회로에 통합하여 전력변환을 새롭게 정의한 ePower Stage IC 제품군을 출시할 예정이다. EPC는 초박형, 고성능(최대 250W) 랩톱 컴퓨팅과 고밀도 서버 및 인공지능 시스템뿐만 아니라 자동차 시스템을 위한 데모를 통해 ePower Stage와 디스크리트 GaN 디바이스가 48V 전력변환 시스템에서 어떻게 효율을 높이고, 크기를 줄이는 것은 물론, 시스템 비용을 절감할 수 있는지 보여준다.

라이다 및 ToF(Time of Flight)

GaN 기술이 단거리 및 장거리 라이다 센서를 어떻게 지원하고 있는지 확인할 수 있는 여러 라이다(Lidar) 애플리케이션도 선보일 예정이다. 2.5ns 미만에서 100A 보다 큰 전류를 제공할 수 있는 장거리 DToF(Direct Time of Flight) 시스템 데모가 제공된다.

단거리 IToF(Indirect TIme of Flight) 시스템의 경우, 1.2ns 미만의 펄스 폭으로 8A 펄스를 제공하는 데모와 함께 현재 생산 중인 여러 최종 고객의 시스템이 전시될 예정이다. 이 시스템은 자율주행 자동차, 웨어하우스 자동화, 드론은 물론, 게임 및 진공청소기에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용되고 있다.

모터 드라이브
새로운 모놀리식 GaN IC 전력 스테이지는 전기스쿠터 모터에 전력을 공급할 수 있다. ePower Stage 디바이스는 3상 정현파 여기 및 위상당 10 ARMS의 모터 드라이브에 사용되어 전기차량을 위한 효율적이고, 조용한 고성능, 저비용 솔루션을 구현할 수 있다.

무선 전력
LTE/5G 시스템의 등장으로 IoT가 빠르게 성장하고 있으며, 에코시스템에 수많은 새로운 연결 및 센서들이 통합되고 있다. 이러한 디바이스를 5G로 확장하기 위해서는 신뢰할 수 있고, 안전한 무선 전력이 필요하다. EPC는 전자 글래스와 벽을 모두 통과하여 최대 65W까지 전송할 수 있는 5G를 위한 매우 효율적인 무선 전력 솔루션을 선보일 예정이다.

EPC 전문가들이 주관하는 eGaN FET 및 IC에 대한 기술 프리젠테이션:

3월 17일, 화요일
■ GaN 전력 디바이스의 전개 방향
   발표자: 알렉스 리도우(Alex Lidow) 박사
   일정: 9:20am – 9:45am (IS04, 위치 R06)
■ 실리콘의 종말.. 그리고 디스크리트의 몰락
   발표자: 알렉스 리도우(Alex Lidow) 박사
   일정: 3:00pm – 3:15pm (리들리 엔지니어링(Ridley Engineering) 제공, 부스 1517)

3월 18일, 수요일
■ GaN 디바이스를 이용한 비용 효율적인 ToF(Time of Flight) 구현
   발표자: 존 글레이저(John Glaser) 박사
   일정: 8:30am – 8:55am (IS08, 위치 R02-R03)
■ GaN FET 및 디지털 제어를 이용하는 초박형 48V ~ 20V, 250W DC-DC 컨버터
   발표: 지안징 왕(Jianjing Wang) 박사
   일정: 9:20am – 9:45am (IS07, 위치 R04-R05)
■ GaN FET 기반 3-레벨 동기식 벅 컨버터의 설계 최적화
   발표: 지안징 왕(Jianjing Wang) 박사
   일정: 9:50am – 10:10am (T12, 위치 206-207)
■ eGaN 기술 및 전력변환의 미래
   발표: 알렉스 리도우(Alex Lidow) 박사
   일정: 1:00pm – 1:30pm (전시 참가자 세미나, 극장 1)

3월 19일, 목요일
■ GaN 디바이스 방법론 실패에 대한 탁월한 신뢰성 및 테스트 방법
   발표: 알렉스 리도우(Alex Lidow) 박사
   일정: 8:30am – 8:55am (IS23, 위치 R07)
■ 고주파 전력 컨버터를 위한 모놀리식 GaN 하프-브리지 IC
   발표자: 지안징 왕(Jianjing Wang) 박사
   일정: 8:55am – 9:20am (IS19, 위치 R04-R05)
■ 전력 변환 SoC로의 경로 – 한 번에 하나의 GaN 스테이지
   발표자: 라비 아난드(Ravi Ananth) 박사
   일정: 9:45am – 10:10am (IS20, 위치 R02-R03)
■ 라이다 카메라 및 기타 저전압, 초고주파수, 초고속 펄스 전력 애플리케이션을 위한 GaN FET
   발표자: 존 글레이저(John Glaser) 박사
   일정: 1:45pm – 2:10pm (IS26, 위치 R02-R03)
■ GaN 통합 – 기술 장벽을 빠르게 해결
   발표자: 라비 아난드(Ravi Ananth) 박사
   일정: 2:10pm – 2:35pm (IS30, 위치 R08)

행사기간 동안 EPC 애플리케이션 전문가와의 회의에 관심이 있는 참가자는 EPC 부스에서 세션을 예약할 수 있으며, 고객 전용룸에서 개별 회의를 가질 수 있다. 회의 요청은 epc-co.com/epc/Contact/RequestMeeting.aspx에서 신청할 수 있다.