마이크로칩, 고전압 SiC 파워 모듈용 mSiC 게이트 드라이버 출시
2024년 02월 24일
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모든 것이 전기로 작동하게 되면서 운송, 전력망, 대형 차량과 같은 중-고전압 애플리케이션에서도 실리콘 카바이드(SiC) 기술이 광범위하게 채택되고 있다. 마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 및 한국대표: 한병돈)는 개발자가 SiC 솔루션 구현과 이러한 개발 프로세스를 단축할 수 있도록 3.3kV XIFM 플러그 앤 플레이 mSiC 게이트 드라이버를 출시했다. 특허 받은 어그멘티드 스위칭(Augmented Switching) 기술을 탑재한 이 게이트 드라이버는 즉시 동작할 수 있도록 다양한 모듈 설정을 사전에 구성해 설계 및 평가 시간을 크게 단축시킨다. 


이 플러그 앤 플레이 솔루션은 시장에 출시되기까지의 시간을 단축하기 위해 게이트 드라이버 회로의 설계, 테스트 및 인증 등 복잡한 개발 작업을 이미 완료했다. XIFM 디지털 게이트 드라이버는 디지털 제어, 통합 전원 공급 장치, 그리고 노이즈에 대한 내성을 향상시키는 견고한 광섬유 인터페이스를 갖춘 컴팩트한 솔루션이다. 이 게이트 드라이버는 모듈 성능 최적화를 위해 미리 맞춤형으로 설정된 ‘턴 온/오프’ 게이트 드라이브 프로파일을 제공한다. 


이 게이트 드라이버는 주 변압기(primary)와 보조 변압기(secondary) 사이에 10.2kV의 강화 절연을 통합하고 있으며, 온도 및 DC 링크 모니터링, 저전압 차단(UVLO: Undervoltage Lockout), 과전압 차단(OVLO: Overvoltage Lockout), 단락/과전류 보호(DESAT: Desaturation Protection) 및 부 온도 계수(NTC: Negative Temperature Coefficient) 등의 모니터링 및 보호 기능을 갖추고 있다. 또한, 이 게이트 드라이버는 철도 애플리케이션의 핵심 사양인 EN 50155을 준수하고 있다. 


마이크로칩 실리콘 카바이드 사업부 클레이턴 필리온(Clayton Pillion) 부사장은 “실리콘 카바이드 시장이 지속적으로 성장하면서 더욱 높은 전압에서 작동할 수 있는 기술이 요구되고 있으며, 이를 위해 마이크로칩은 3.3 kV 플러그 앤 플레이 mSiC 게이트 드라이버와 같은 턴키 솔루션을 통해 전력 시스템 개발자들이 와이드 밴드갭 기술을 더욱 쉽게 도입할 수 있도록 지원한다”라며 “이 솔루션은 모든 게이트 드라이브 회로가 미리 설정돼 있어 기존 아날로그 솔루션 대비 설계 주기를 최대 50%까지 단축할 수 있다”라고 말했다. 


마이크로칩은 SiC 디바이스 및 파워 솔루션의 개발, 설계, 제조, 지원 분야에서 쌓아온20년 이상의 경험을 바탕으로, 고객들이 쉽고, 빠르고, 자신 있게 SiC 기술을 도입할 수 있도록 지원한다. 마이크로칩의 mSiC 제품은 표준형, 수정형 및 맞춤형으로 옵션을 선택할 수 있는SiC MOSFET, 다이오드 및 게이트 드라이버로 구성되어 있다.

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