EPC의 최신 100V eGaN FET 제품군, 실리콘 MOSFET 대비 벤치마크 성능 향상

2020년 09월 23일

인핸스먼트 모드(Enhancement Mode) 질화갈륨 기반 전력 FET 및 IC 분야의 세계 선도기업인 EPC(Efficient Power Conversion)는 상용 질화갈륨 트랜지스터의 비용은 낮추면서도 성능을 크게 향상시킨 새로운 EPC2218 및 EPC2204 100V eGaN FET를 출시했다. 이러한 첨단 디바이스는 동기식 정류기 및 클래스-D 오디오, 인포테인먼트 시스템, DC-DC 컨버터(하드 스위칭 및 공진형)를 비롯해 자율주행 차량 및 로보틱스, 드론을 위한 라이다(Lidar) 애플리케이션에 이상적이다.

EPC2218(3.2mΩ, 231A_pulsed) 및 EPC2204(6mΩ, 125A_pulsed)는 이전 세대 eGaN FET 제품에 비해 약 20% 낮은 R_DS(on)과 향상된 DC 정격을 제공한다. 이는 실리콘 디바이스와의 벤치마크를 통해 성능 이점이 훨씬 높다는 것이 확인되었다.

EPC2204는 온저항이 25% 더 낮고, 크기는 3배 더 작다. 게이트 전하(Q_G)는 실리콘 MOSFET 벤치마크 대비 절반 미만에 이르렀으며, 모든 eGaN FET와 마찬가지로 역회복전하(Q_RR)가 없어 왜곡이 더 낮은 클래스 D 오디오 증폭기와 보다 효율적인 동기식 정류기 및 모터 드라이브를 구현할 수 있다.

실리콘 100V FET와 100V eGaN FET와의 벤치마크 성능 비교

EPC의 공동설립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “새로운 100V eGaN FET는 프리미엄급 가격대의 제품이 제공하는 탁월한 성능 이점을 갖추고 있다. 하지만 EPC는 이러한 최신 100V 트랜지스터를 노후화되고 있는 실리콘 전력 MOSFET과 견줄 수 있는 가격으로 공급한다. 설계자들은 더 높은 성능과, 작은 크기, 더욱 뛰어난 열 효율성을 갖춘 이러한 디바이스를 경쟁력 있는 가격으로 활용할 수 있게 되었다. 앞으로도 GaN 디바이스의 전력 MOSFET 대체 움직임은 계속해서 가속화될 것이다.”고 밝혔다.