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EPC는 3mm x 5mm의 소형 QFN 패키지 기반의 100V, 1mOhm EPC2361 GaN FET를 출시하고, 
DC-DC 변환을 비롯해 고속 충전, 모터 드라이브 및 태양광 MPPT를 위한 더 높은 전력밀도를 제공한다. 

인핸스먼트 모드 질화갈륨(GaN) 전력 FET 및 IC 분야의 세계적인 선도기업인 EPC는 100V, 1mOhm을 지원하는 EPC2361을 출시했다. 이 제품은 EPC의 이전 세대 제품에 비해 두 배의 전력밀도를 제공하는 시장에서 가장 낮은 온저항을 가진 GaN FET이다.

EPC2361은 상단이 노출된 초소형 3mm x 5mm 크기의 풋프린트로 열 성능이 향상된 QFN 패키지로 제공되며, 평균 1mOhm에 불과한 R_DS(on)을 갖추고 있다. EPC2361의 최대 R_DS(on) x 면적은 15mΩ*mm²이며, 동급 100V 실리콘 MOSFET에 비해 5배 이상 작다.

매우 낮은 온저항을 가진 EPC2361은 전력변환 시스템의 전력밀도와 효율성을 높임으로써 에너지 소모 및 열 손실을 줄일 수 있다. 이러한 혁신적인 기능은 고전력 PSU AC-DC 동기식 정류 및 데이터센터용 고주파수 DC-DC 변환을 비롯해 태양광 MPPT와 전기 모빌리티, 드론 및 로보틱스를 위한 모터 드라이브 등과 같은 애플리케이션에 특히 중요하다.

EPC의 공동 창립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “EPC의 새로운 1mΩ GaN FET는 GaN 기술을 통해 가능성의 한계를 지속적으로 확장함으로써 고객들이 보다 효율적이고, 컴팩트하며, 안정적인 전력전자 시스템을 구현할 수 있도록 지원한다.”고 밝혔다.

EPC90156 개발 보드는 EPC2361 GaN FET를 기반으로 구현된 하프 브리지이다. 이 보드는 전력 시스템 설계자들이 평가 프로세스를 간소화하여 제품의 시장 출시시간을 단축할 수 있도록 개발되었다. 50.8mm x 50.8mm 크기의 이 보드는 최적의 스위칭 성능을 위해 설계되었으며, 평가가 용이하도록 모든 중요 구성요소를 포함하고 있다.