로옴의 SiC SBD, 무라타의 데이터 센터용 전원 유닛에 채택

2023년 02월 28일

로옴(ROHM / www.rohm.co.kr )의 제3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 (이하, SBD)가, 일본을 대표하는 전자부품, 배터리, 전원 메이커인 무라타 제작소 그룹의 무라타 전력 솔루션(Murata Power Solutions)에 채용되었다. 고속 스위칭을 실현하는 로옴의 SiC SBD 「SCS308AH」는 무라타 전력 솔루션의 데이터 센터용 전원 유닛 「D1U 시리즈」에 탑재되어, 어플리케이션의 성능 향상과 소형화에 기여한다.

최근 AI (인공지능) 및 AR (증강현실) 등, IoT 분야의 진화에 따라 전 세계적으로 데이터 통신량이 증대하고 있다. 특히, 통신을 관리하는 데이터 센터에서는 서버의 소형화 및 고효율화가 과제로 중요시되어, 전원부의 소형 및 고효율화에 기여하는 SiC 파워 디바이스가 크게 주목받고 있다.

무라타 전력 솔루션의 AC-DC 전원 「1U 프론트엔드」 시리즈는, 고효율의 역률 개선형 프론트엔드 전원 유닛 「D1U54P-W-2000-12-HB3C」 및 「D1U54P-W-1200-12-HC4PC」 등을 라인업으로 구비하여, 여러 개의 전원 유닛을 병렬로 동작시킬 수 있다. 또한, 「1U 프론트엔드」 시리즈는 핫플러그에 대응하여 고온, 과전류, 과전압 등의 검출과 보호가 가능하다. 서버, 워크 스테이션, 스토리지 시스템, 기타 12V 전원 시스템에 고신뢰성과 고효율의 전력을 공급할 수 있을 뿐만 아니라, 박형의 1U 사이즈이므로 시스템 면적 삭감에도 기여한다.

로옴은 2010년 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산을 개시한 이래, 업계를 리드하는 SiC 파워 디바이스의 기술 개발을 지속적으로 추진해 왔다. 무라타 전력 솔루션에 채택된 최신 제3세대 SiC SBD는 총전하량 (QC)이 작아 저손실 및 고속 스위칭 동작이 가능하다. 또한, 제2세대 SBD보다 우수한 서지 전류 내성을 실현함과 동시에 VF 특성을 한층 더 저감했다.