반도체 전문 온라인 매거진 - 올포칩

로옴 (ROHM)은 무선 이어폰 등 히어러블 단말기를 비롯한 웨어러블 기기, 스마트폰 등 소형, 박형기기의 스위칭에 최적화된 고효율의 20V 내압 Nch MOSFET ‘RA1C030LD’를 개발했다. 

최근, 소형기기의 고기능화에 따라 기기 내에서 필요로 하는 전력량이 증가하고 있다. 이에 따른 배터리 사이즈의 대형화로 인해 부품의 실장 스페이스는 감소하고 있다. 그러나, 이러한 배터리의 대형화에는 한계가 있으므로, 한정된 배터리 전력을 효율적으로 사용하기 위해, 탑재된 부품에는 한층 더 강력한 전력 손실 억제가 요구되고 있다. 

이러한 상황에서, MOSFET에서는 소형화가 용이하고 특성이 우수한 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지를 채용한 개발이 업계의 주류가 되고 있다. 로옴은 IC 메이커로서의 강점을 활용하여, 디스크리트의 기존 프로세스에서는 커졌던 배선 저항을, IC 프로세스를 활용함으로써 대폭 삭감하여, 전력 손실을 억제한 소형 MOSFET를 개발했다. 

이 제품은 로옴의 독자적인 IC 프로세스를 응용한 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 DSN1006-3 (1.0mm×0.6mm)을 채용하여, 소형화와 동시에 낮은 전력 손실을 실현했다. 도통 손실과 스위칭 손실의 관계를 나타내는 지표(ON 저항×Qgd)에서, 이 패키지는 동일한 일반품에 비해 최대 약 20% 향상된 업계 최고 수준(1.0mm×0.6mm 이하 패키지 비교)을 달성하여, 각종 소형기기의 기판 상 부품 면적 삭감과 고효율화에 크게 기여한다. 

또한 로옴의 독자적인 패키지 구조를 통해, 측벽의 절연 보호를 실현했다. 면적의 제약으로 인해 부품의 고밀도 실장이 필요한 소형기기에서, 부품간 접촉으로 인한 단락 리스크를 낮출 수 있어, 안전 동작에 기여한다. 

로옴은 한층 더 낮은 ON 저항을 실현한 제품 및 소형 제품의 개발을 추진하여, 각종 소형기기의 고효율화에 기여함으로써, 환경 보호 등 사회 과제의 해결에 기여해 나갈 것이다.