반도체 전문 온라인 매거진 - 올포칩

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 기존 TO-스타일 패키지보다 전력밀도를 향상시키고 조립을 용이하게 해주는 첨단 ACEPACK SMIT 패키지를 기반으로 일반형 구성의 전력 반도체 브리지 5종을 출시했다.

엔지니어는 2종의 STPOWER 650V MOSFET 하프 브리지, 600V 초고속 다이오드 브리지, 1,200V 하프-제어 전파 정류기(Half-Controlled Full-Wave Rectifier), 1,200V 사이리스터-제어 브리지 레그(Thyristor-Controlled Bridge Leg) 중 선택해 이용할 수 있다. 모든 디바이스는 자동차 산업 요건을 충족하며, 전기자동차 온보드 충전기(OBC: On-Board Charger)와 DC/DC 컨버터 및 산업용 전력 변환에도 적합하다.

ST의 ACEPACK SMIT 표면실장 패키지는 노출된 드레인으로 열 효율성과 손쉽게 취급이 가능한 절연 패키지를 제공한다. 이로써 DBC(Direct-Bonded Copper) 다이 부착이 가능해 효율적인 상단 냉각을 지원한다. ACEPACK SMIT는 4.6cm2의 상단 메탈이 노출돼 평면 히트싱크를 쉽게 부착할 수 있다. 이를 통해 공간을 절약해주는 낮은 프로파일 구성이 가능하고, 열 발산을 극대화해 고전력에서 높은 신뢰성을 얻게 된다. 모듈과 히트싱크를 자동화된 인라인 장비를 이용해 배치할 수 있어 수동 프로세스를 줄이고 생산성을 높여준다.

상단의 냉각 설계를 갖춘 32.7mm x 22.5mm의 패키지 풋프린트는 리드 간 연면거리가 6.6mm에 불과하며, 최소한의 스택 높이로 전력밀도를 높일 수 있다. 탭-리드(Tab-to-Lead) 절연은 4,500Vrms이다. 이 패키지는 기생 인덕턴스와 커패시턴스도 낮다.

현재 ACEPACK SMIT 패키지로 제공되는 SH68N65DM6AG 및 SH32N65DM6AG 650V-MDmesh DM6 MOSFET 하프 브리지는 AQG-324 인증을 획득했다. SH68N65DM6AG의 경우 41mΩ, SH32N65DM6AG의 경우 97mΩ의 최대 Rds(on)으로 높은 전기 효율과 낮은 열 발산을 보장한다. 이 디바이스들은 OBC와 고전압-저전압 영역의 DC/DC 컨버터에 모두 사용할 수 있다. 또한 다기능 유연성을 통해 재고 및 조달을 간소화해준다.

600V, 60A 전파 브리지 정류기인 STTH60RQ06-M2Y는 소프트 복구 특성을 갖춘 초고속 다이오드로 구성돼 있으며, 자동차 애플리케이션에 사용할 수 있는 PPAP를 지원한다. 1,200V, 60A 하프-제어 단상 AC/DC 브리지 정류기인 STTD6050H-12M2Y는 AEC-Q101 인증을 받았으며, 1,000V/μs의 dV/dt로 뛰어난 노이즈 내성을 갖추고 있다.

STTN6050H-12M1Y는 내부적으로 연결된 2개의 사이리스터(실리콘 제어 정류기-SCR)로 구성된 1,200V, 60A 하프 브리지이다. AEC-Q101 인증을 받은 이 디바이스는 자동차 OBC 및 충전소를 비롯해 모터 드라이브 및 전원공급장치의 AC/DC 변환, 단상 및 3상 제어 정류기 브리지, 토템폴(Totem-Pole) 역률보정(PFC) 및 반도체 릴레이와 같은 산업용 애플리케이션에 사용할 수 있다.