반도체 전문 온라인 매거진 - 올포칩

이 제품은 컴퓨팅 및 커뮤니케이션, 차량, 전기제품 등과 같은 다양한 시장 세그먼트의 최종 애플리케이션에서 극적으로 성능을 증가시키는 동시에 에너지 소비를 줄일 수 있으며, 최신 실리콘 기반 기술 플랫폼과 비교하여 고객들이 주요 애플리케이션의 FOM(figures of merit)을 10배까지 향상시킬 수 있도록 해준다.

첨단 GaN 기반 전력 디바이스 기술 플랫폼은 IR의 GaN-온-실리콘 (GaN-on- Si) 에픽택시 특허 기술에 기반한 5년간의 연구개발의 산물이다.

IR의 GaN 기반 전력 디바이스 기술 플랫폼을 통해 전력 변환 솔루션에 있어 혁신적인 진전이 가능하게 해준다. 또한, AC-DC 전력 변환, DC-DC 전력 변환, 모터 구동, 조명, 고밀도 오디오 및 차량 시스템을 포함하는 다양한 애플리케이션에서 IR이 60년 동안 쌓아온 전력 변환 전문기술에 효율적으로 도입함으로써 시스템 솔루션 제품 및 관련 IP 포트폴리오가 첨단 디스크리트 전력 디바이스를 뛰어 넘어 한층 확장된다.

IR의 비용 효율적인 실리콘 제조 설비와 완벽하게 호환되는 첨단 디바이스 가공 프로세스와 함께 고출력 150mm GaN-on-Si 에피택시는 고객들에게 GaN 기반 전력 디바이스를 위한 최상의 상용화된 제조 플랫폼을 제공한다.

IR의 올레그 케이킨(Oleg Khaykin) 사장 겸 CEO는 “고객이  에너지를 절감할 수 있도록 돕는다는 IR의 핵심 사명에 맞게 이 첨단 GaN 기반 기술 플랫폼과 IP 포트폴리오를 통해 IR의 전력 반도체 디바이스 분야에서의 리더십이 한층 확장될 것이며 전력 변환에 있어 새 시대가 도래할 것이다”라고 말했다.

그는 “우리는 전력 변환 시장에 있어서 이 새로운 디바이스 기술 플랫폼의 잠재적 효과가 최소한 IR이 30년 전에 전력 HEXFET®을 출시했을 때만큼 막강할 것으로 기대하고 있다”고 덧붙였다.

몇 가지 새로운 GaN 기반 제품 플랫폼의 프로토타입이 2008년 11월 11일에서 14일까지 독일 뮌헨에서 개최될 일렉트로니카 전시회에서 주요 OEM 고객들에게 선보일 예정이다.

케이킨 사장 겸 CEO는 “우리는 새로운 기술 플랫폼의 얼리 어답터(Early Adopter) 들이 전력 밀도, 전력 변환 효율, 비용 등과 같은 주요 특성들의 가치 실현을 전환시킬 수 있는 혁신적인 성능의 이점을 완벽하게 얻게 될 세분 시장과 애플리케이션이 될 것이라고 믿고 있다”고 말했다.