ST, 스위칭 전력 손실 최소화로 효율성을 높이는 새로운 MDmesh K6 800V STPOWER MOSFET 출시

2021년 10월 21일

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 시스템 전력 손실을 최소화하기 위해 주요 파라미터들을 개선하는 새로운 슈퍼-정션 STPOWER MDmesh K6 시리즈를 출시했다. 이 시리즈는 LED 드라이버 및 HID 램프와 어댑터는 물론, 평면 디스플레이용 전원공급장치와 같은 플라이백 토폴로지 기반의 조명 애플리케이션에 특히 적합하다.

ST는 800V STPOWER MDmesh K6 시리즈로 동급 최고 성능과 사용 편의성을 결합한 슈퍼-정션 기술을 소개했다. MDmesh K6는 현재 시중에 공급되는 800V 제품 중 최상의 단위 면적당 RDS(on) 값을 제공하며, 높은 전력밀도와 업계 선도적인 효율성을 모두 갖춰 소형 설계를 지원할 수 있다.

또한, K6 시리즈는 이전 세대 MDmesh K5에 비해 임계 전압이 감소됐으며, 이를 통해 구동 전압을 낮추고 전력 손실을 줄여 주로 제로-와트 대기모드 기반 애플리케이션의 효율을 향상시켜 준다. 총 게이트 전하(Qg)도 매우 낮기 때문에 빠른 스위칭 속도를 가지며 손실을 줄일 수 있다.

통합된 ESD 보호 다이오드는 MOSFET의 전반적인 안정성을 HBM 클래스 2(Human Body Model Class 2)까지 높여준다.

이탈리아의 솔리드-스테이트(Solid-State) 조명 혁신기업인 TCI(http://www.tcisaronno.net)의 CTO 겸 R&D 매니저인 루카 콜롬보(Luca Colombo)는 “TCI는 새로운 슈퍼 정션 초고전압 MDmesh K6 시리즈의 샘플 테스트와 평가를 마쳤으며, 그 탁월한 단위 면적당 Rdson 값과 총 게이트 전하(Qg) 성능 특성에 깊은 인상을 받았다”고 밝혔다.

TO-220 스루홀(Through-Hole) 패키지 기반의 STP80N240K6(RDS(on)max = 0.22Ω, Qgtyp = 25.9nC)는 MDmesh K6 시리즈 중 최초로 양산 중인 MOSFET으로, 샘플은 ST eSTore에서 무료로 제공되고 있다. DPAK 및 TO-220FP 패키지는 2022년 1월에 양산될 예정이다. 가격은 1,000개 주문 시 1.013달러에서 시작한다.

2022년까지 모든 MDmesh K6 포트폴리오 제품이 출시될 예정이며, 0.22Ω에서 4.5Ω에 이르는 넓은 범위의 RDS(on)과 SMD 및 스루홀(Through-Hole) 등 다양한 패키지 옵션으로 공급된다.

자세한 정보는 www.st.com/stpower-800v-mdmesh-k6 에서 확인할 수 있다.