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EPC의 7단계 안정성 리포트(Phase Seven Reliability Report)는 eGaN® FET의 뛰어난 안정성을 보여주고 있으며, 기존 실리콘 디바이스를 대체할 수 있는 신뢰할 수 있는 솔루션임을 입증하고 있다.

EPC(Efficient Power Conversion Corporation, www.epc-co.com)는 170억 시간 이상 축적된 필드-디바이스에 대한 정보와 스트레스 상태에서 7백만 시간 이상의 동등한 디바이스에 대한 상세한 테스트 데이터를 담은 7단계 안정성 리포트(Phase Seven Reliability Report)를 발표했다. 이 스트레스 테스트는 IOL(Intermittent Operating Life)과 ELFR(Early Life Failure Rate), 바이어스와 습도, 온도 사이클링, 정전기 방전 등을 포함하고 있다. 이번 연구는 현장의 제품이 혼성 0.24 FIT 레이트를 나타난 것으로 보고하고 있으며, 이는 지금까지의 모든 EPC 현장 실험에서 일관된 것으로, 상용 전력 스위칭 애플리케이션에서 eGaN FET가 노후화된 실리콘을 대체할 수 있음을 입증하고 있다.

EPC의 공동 창립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow) 박사에 따르면, “새로운 기술의 안정성을 입증하는 것은 상당한 도전 과제이며, EPC는 매우 엄격하게 이를 수행했다. 이번 연구 결과는 EPC의 질화갈륨 제품이 반도체를 위한 새로운 기술로 실리콘을 대체할 수 있는 필요한 안정성을 확보했음을 보여준다.”고 밝혔다.

이번 리포트에서 EPC의 eGaN FET는 실리콘-기반 전력 MOSFET과 동일한 전형적인 조건 하에서 다양한 스트레스 테스트를 거쳤다. eGaN FET는 가능한 최신 JEDEC 표준을 만족시킬 수 있는 스트레스가 주어졌다. 이번 테스트는 다음과 같다:

• HTRB(High Temperature Reverse Bias)

• HTGB(High Temperature Gate Bias)

• TC(Temperature Cycling)

• H3TRB(High Temperature High Humidity Bias)

• ELFR(Early Life Failure Rate) HTRB

• IOL(Intermittent Operating Life)

EPC의 방대한 안정성 테스트는 디바이스의 본질 특성 및 환경적 안정성을 모두 입증하기 위해 지속적으로 이뤄지고 있다. 모든 7단계 안정성 테스트 프로그램은 epc-co.com에서 제공된다.

EPC 소개
EPC는 인핸스먼트 모드(Enhancement Mode) 질화갈륨 기반 전력관리 디바이스 분야의 선도적인 공급업체이다. EPC는 DC-DC 컨버터 및 무선 전력 전송, 인벨롭 트래킹, RF 전송, 전력 인버터, 원격 센싱 기술(LiDAR), 클래스-D 오디오 증폭기와 같은 애플리케이션에서 파워 MOSFET을 대체하는 eGaN(enhancement-mode Gallium-Nitride-on-silicon) FET를 최초로 도입했으며, 최상의 실리콘 파워 MOSFET 보다 수배이상 뛰어난 디바이스 성능을 갖추고 있다. 또한 EPC는 탁월한 공간 및 에너지, 비용 효율성을 제공하는 eGaN-기반 IC 포트폴리오도 확장해 나가고 있다.

웹사이트: www.epc-co.com
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