IR, IGBT 기술 플랫폼 발표
2012년 12월 03일
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IR 에너지 절약 제품 사업부의 전략 마케팅 담당 부사장인 알베르토 구에라(Alberto Guerra)씨는  “이러한 새로운 벤치마크 기술과 첨단 IGBT 실리콘 플랫폼의 개발을 통해 IR은 전력 전자 기술을 발전시키기 위한 지난 수십 년 간의 노력을 다시 한번 확인시켰다. 우리의 목표는 전기 에너지의 보다 효율적인 사용과 보다 청정한 환경을 위해 모든 전자 모터의 100% 인버터화를 달성하는 것이다.”라고 말했다.

새로운 기술은 모터 드라이브 애플리케이션에 이상적인 보다 짧은 턴-오프 특성을 제공하여 dv/dt를 최소화하여 EMI와 과전압을 낮추고 신뢰성과 강건성을 증대시킨다. 파라미터의 좁은 분포는 고전류 전력 모듈에서 복수의 IGBT를 병렬 연결할 경우에 탁월한 전류 공유 특성을 제공한다. 박형 웨이퍼 기술은 향상된 온도 저항 특성과 최대 175°C까지의 최대 접합 온도를 제공한다.

IR 에너지 절감 제품 사업부의 IGBT 제품 마케팅 부장 루웰린 바우안-에드몬드 (Llewellyn Vaughan-Edmunds)씨는 “IR의 Gen8 IGBT 플랫폼은 산업용 애플리케이션을 겨냥한 탁월한 기술을 제공한다. 최상의 Vce(on), 강건성, 탁월한 스위칭 특성 등을 통해 이 IGBT 플랫폼은 산업용 시장의 엄격한 기술적 요구사항들을 달성할 수 있도록 특별히 최적화되었다.”고 말했다.

보다 자세한 정보는 인터내셔널 렉티파이어의 웹사이트 www.irf.com에서 제공되고 있다.

규격

IR 부품 번호

VCES

IC (NOM)

VCE(ON) (typ)

패키지

IRG8CH15K10F

1200V

10A

1.7

필름 상에 다이로 제공

IRG8CH20K10F

15A

IRG8CH29K10F

25A

IRG8CH38K10F

35A

IRG8CH42K10F

40A

IRG8CH50K10F

50A

IRG8CH76K10F

75A

IRG8CH97K10F

100A

IRG8CH137K10F

150A

IRG8CH182K10F

200A


공급시기

IR의 Gen8 1200V IGBT 플랫폼은 주요 OEM 및 ODM 협력업체에 대해 현재 샘플 공급이 진행되고 있다. 영업 대리점에 연락하면 자세한 정보를 얻을 수 있다.

그래픽 / 영상
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