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온저항을 낮추는 혁신적인 SuperMESH3 기술을 사용함으로써 효율성 향상을 보장한다. 이밖에도, 최상의 dv/dt 성능 및 높은 항복전압 (breakdown-voltage) 마진 덕분에, 이 새로운 소자들은 신뢰성 및 안전성이 향상되었다.

이번에 출시된 첫번째 SuperMESH3 소자들은 620V의 STx6N62K3를 비롯하여, 620V의 STx3N62K3 뿐만 아니라 525V의 STx75N52K3 및 STx6N52K3이다. SuperMESH3로 구현된 온저항 감소로 인하여 저전력 램프 안정기 등의 애플리케이션의 작동 효율성을 향상시키면서, DPAK 패키지로 RDS(on)을 620V의 STD6N62K3에서 1.28옴 (Ohms) 및 525V의 STD7N52K3에서 0.98옴까지 절감해준다. 또한 새로운 기술로 역회복 시간 (Trr), 게이트 차지 및 고유 용량 (intrinsic capacitance)를 절감하여, 스위칭 성능을 향상시키며, 더 높은 작동 주파수를 구현한다.

스트립 토폴로지 (strip topology)와 최적의 수직 구조가 결합된 ST의 SuperMESH3 기술의 기타 장점으로, 새로운 소자는 최상급 dv/dt 가동을 구현한다는 점이다. 이를 통하여 조명 및 기타 컨슈머 전자 애플리케이션의 신뢰성 및 안전성을 향상시켰다. 모든 SuperMESH3 소자들은 100% 애벌린치 테스트되었으며, 강력한 만능 성능을 구현하기 위해 제너 프로텍션 (zener protection) 기능을 통합하고 있다.

SuperMESH3는 동종의 고전압, 고속 회복 기술들중 면적당 최저 온저항을 달성함으로써, STx6N52K3, STx7N52K3, STx3N62K3 및 STx6N52K3 등의 소자들이 유사 등급의 대체품보다 작은 크기의 패키지인 DPAK을 사용할 수 있게 한다. 이는 실장 면적 및 보드 크기를 절감하면서, 더 큰 크기의 소자들과 같은 수준의 스위칭 및 열 성능을 발휘한다.