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새로운 9-Mbit 및 4-Mbit 듀얼포트 디바이스는 200MHz의 성능을 제공함으로써 산업제어부터 의료영상과 통신 분야에 이르기까지 다양한 분야에서 요구하는 까다로운 메모리 버퍼링 조건을 만족시킨다. 뿐만 아니라 새로운 듀얼포트 디바이스의 코어 전압(core voltage)은 1.8V로, 기존 솔루션 보다 전력 사용량이 매우 낮다는 장점이 있다.

새로운 IDT 듀얼포트 디바이스는 메모리와 제어로직(control logic)을 결합하여 독립 포트를 통한 공용 중앙 메모리 동시 접속을 가능하게 한다. 새로운 IDT 솔루션을 통해 소비자들은 검증된 오프-더-셸프(off-the-shelf) 디바이스 사용으로 제품 출시를 앞당기는 한편, 칩과 칩 사이의 연결 문제를 해결하여 대역폭을 증가시키고 설계 복잡도(design complexity)를 완화할 수 있다.

IDT 플로우 제어 관리부(Flow Control Management)의 칼 메이(Carl May) 마케팅 이사는 “IDT의 고객들이 우려하는 차세대 기술과 관련된 잠재적 문제를 사전에 해결하기 위해, IDT는 혁신적 업그레이드를 제공할 수 있도록 기존 제품의 개선 방안을 끊임없이 모색하고 있다”며 “이러한 노력의 일환으로 출시된 2종의 새로운 듀얼포트 디바이스들 역시 성능과 전력 면에서 매우 발전된 사양을 제공한다”고 말했다.

제품 정보
새롭게 선보인 9-Mbit IDT 70P3519와 4-Mbit 70P3599는 고속 256K/128K x 36비트 동기 듀얼포트 디바이스로, 광범위한 분야에서의 동기 기능(synchronous functionality) 제공을 통해 IDT 고객들이 설계를 최적화하여 성능을 높이고 전력소모량을 줄일 수 있게 한다. 또한 새로운 듀얼포트 디바이스를 통해 외장 디바이스 설치 없이 단일 메모리 주소에 대한 동시 접속을 관리할 수도 있다. 동기 기능에는 카운터, 여러 독립 칩 및 바이트 이네이블(enables), 동기 인터럽트 등이 있다. 뿐만 아니라 제어, 데이터, 주소 입력 상의 레지스터는 셋업 및 홀드 시간을 최소화하여 제품 출시 기간을 단축시켜준다. 새로운 듀얼포트 디바이스는 입력 데이터 레지스터를 포함함으로써 단방향 혹은 양방향 버스트(burst) 데이터 흐름이 발생하는 애플리케이션을 위해 최적화되었다. 또한, CE0 및 CE1 칩 이네이블 핀으로 제어되는 자동 절전 기능은 각 포트의 온칩(on-chip) 회로를 초절전 대기 모드로 전환 될 수 있게 한다.