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IRS233x(D)는 레퍼런스 출력 채널을 갖춘 고전압 고속의 파워 MOSFET과 IGBT 3 상 브리지 드라이버로, 최고 600V까지 동작시키는 최고 20 V의 MOS 게이트 드라이브 성능에서 200 mA/420 mA의 드라이브 전류를 제공한다. 이 신형 소자는 접지 레퍼런스를 갖춘 차동 증폭기 기능을 내장하고 있어 외부 전류 감지 저항과 선택사양인 통합된 부트스트랩 다이오드를 경유, 브리지 전류의 아날로그 피드백을 제공함으로써 외부 부품의 수를 줄이고 PCB의 크기를 줄여준다.

자동차, 어플라이언스, 산업용 모션 제품을 담당하는 IR의 헤닝 하우엔슈타인 (Henning Hauenstein) 제품 마케팅 부사장은 “집적도가 높고 차동 증폭기 및 부트스트랩 다이오드가 포함되어 있는 IRS233x(D) 제품군은 모터 드라이브 디자인을 단순화 및 축소하는 한편 높은 수준의 신뢰도와 견고성을 제공한다”고 말했다.

IRS233x(D) 제품군은 극단적인 스위칭 조건 및 단락 회로 조건 하에서 안전한 동작을 위해 특허기술인 네거티브 전압 스파이크 (Vs) 내성기술을 포함하여 종합적인 보호 기능을 제공한다. 출력 드라이버는 최소 드라이버 크로스 전도를 위해 디자인된 고 펄스 전류 버퍼 단 특징을 갖추고 있으며, 전파 지연은 높은 주파수에서 사용을 단순화하도록 맞추어져 있다. 또한, 부동 채널을 사용하여 하이 사이드 구성에서 N 채널 파워 MOSFET 또는 IGBT 구동이 가능하다.

신형 IC에는 IR의 고성능 HVIC (high-voltage IC) 공정을 이용하며, 이 공정은 차세대 고전압 레벨-시프팅 및 터미네이션 기술이 통합되어 있어 우수한 전기적 오버-스트레스 보호 및 더 높은 필드 신뢰성을 제공한다. IRS233x(D)는 과전류 검출 입력 기능 외에 저전압 록아웃 보호, 통합형 데드타임 보호, 슛 쓰루 보호, 오류 보고 등의 기능을 가지고 있으며 3.3V의 입력 로직과 호환 가능하다.