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이들 새로운IGBT 제품은 Field Stop 구조를 적용함과 동시에 강한 애벌런치 내구성 (Avalanche Ruggedness)을 갖는 새로운 트렌치 게이트 기술을 접목하여, 전도 손실과 스위칭 손실 사이의 최적 트레이드 오프를 제공함으로써 효율을 극대화 할 수 있도록 개발되었다. 

기존의 NPT 트렌치 게이트 IGBT 대비 FGA20N120FTD는 전도 손실이 25% 낮으며 스위칭 손실도 8% 감소하여 시스템의 동작 온도를 크게 낮추었고, 이에 냉각장치의 경량화 및 시스템의 신뢰도 개선을 통하여 전반적인 시스템 가격을 낮출 수 있다. 또한, ZVS (Zero Voltage Switching) 기술에 최적화된 FRD (Fast Recovery Diode) 를 탑재하여 동작 신뢰성을 더욱 개선하였다.

페어차일드 반도체사의 FGA20N120FTD와 FGA15N120FTD는 소자 특성의 산포가 작고, 애벌런치 내구성이 우수하여 동작 성능의 변동 및 애벌런치 모드상에서 발생할 수 있는 소자의 불량 가능성을 최소화했다. 이는 페어차일드사의 혁신적인 Field Stop IGBT 기술과 최적의 첨단 트렌치 게이트 셀 디자인을 통하여 구현 되었다.

FGA20N120FTD와 FGA15N120FTD의 핵심 사양
  
    - 낮은 스위칭 손실을 통한 시스템 효율 향상
    - 낮은 포화 전압을 통한 전도 손실 감소
    - ZVS 토폴로지에 최적화된 fast Recovery Diode 내장
- 성능변동을 최소화하는 작은 특성 산포
- 뛰어난 애벌런치 내구성(avalanche ruggedness) 통한 동작 수명 연장

FGA20N120FTD와 FGA15N120FTD는 무연 터미널을 채택했으며 IPC/JEDEC 공동 표준 J-STD-020의 무연 리플로우 요구 조건에 따른 습기 민감성 특성을 갖추고 있다. 페어차일드 사의 모든 제품은 특정 물질 사용 제한 (RoHS) 유럽연합의 지침에 다른 조건을 충족시키도록 디자인되고 있다.