기존 SRAM 대체 4Mb 비휘발성 FRAM 탄생

2007년 04월 26일

이번에 개발된 FM22L16은 256K×16 비휘발성 메모리로 구성되며, 표준 SRAM처럼 읽기/쓰기가 가능하다. 액세스 타임은 55ns이며, 사이클 타임은 110ns이다. 또한 10여년 동안 데이터를 유지할 수 있는 것은 물론, 배터리 백업 SRAM(BBSRAM)이 가지고 있는 안정성 문제나 기능적 단점 및 시스템 설계 복잡성과 같은 부분에 대해 걱정할 필요가 없다.

램트론의 마이클 할러보(Michael Hollabaugh) 글로벌 영업담당 수석 부사장은 “FRAM은 플새시 메모리에 비해 집적도는 낮지만, 전력소모(쓰기)가 낮고 속도가 빠르며 영구적으로 사용이 가능하다. 또한 이번에 4Mb로 밀도가 높아지면서 기존 SRAM 시장에서의 돌풍을 기대하고 있다.”면서 “미터링, ISM, 자동차, 컨수머 등 기존 FRAM이 적용되고 있는 분야 이외에도 다방면에서 활용이 가능할 것으로 예상한다.”고 말했다.

FM22L16은 4byte 버스트 읽기/쓰기를 최대 40MHz로 할 수 있으며, 슬립모드시 최저전류 5μA, 읽기/쓰기에는 18mA의 전류를 소모하기 때문에 표준 SRAM보다 동작 전류가 낮다. 이 FRAM은 -40~+85℃의 온도 범위에서 동작할 수 있으며, 동작 전압은 2.7~3.6V이다. TI의 130nm CMOS 공정이 적용됐으며, 44핀 TSOP-II 패키지로 올 4분기에 양산될 예정이다.

(기자간담회 발표자료 첨부)

관련 첨부파일 : AP_Press_Tour_0307_램트론.PPT