IR 25V DirectFET MOSFET 3종 출시
2006년 07월 31일
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IRF6622 제어MOSFET은 최소한의 스위칭 손실을 위한 매우 낮은 Qg(12nC)가 특징이다. IRF6628 및 IRF6629 동기식 MOSFET 2종은 각각 1.9mΩ, 1.6mΩ의 매우 낮은 RDS(on)을 가져 저전도 손실에 최적화되었다. IRF6622PbF는 SQ 풋프린트의 소형 캔 DirectFET 패키지로 공급되며 IRF6628PbF 및 IRF6629PbF는 MX 풋프린트의 중형 DirectFET 패키지로 공급된다.
25V DirectFET 제품들은 상 당 설계가 20A~30A가 목표이다. 입력12V, 출력 1.3V, 300kHz, 5상  설계에서, 상 당 한 쌍의 IRF6622와 IRF6628은 인터내셔널 렉티파이어의 XPhase® 칩셋과 함께 130A에서 88%의 효율성을 달성한다. 동일한 조건에서 한 쌍의 IRF6622와 IRF6629 는 130A에서 88.5%를 달성해서 더 높은 효율성을 실현한다.
IRF6622, IRF6628, IRF6629 DirectFET MOSFET 제품 모두 바로 이용할 수 있다. 10,000 개 수량 단위 기준으로 IRF6622는 개당 US $0.53이며, IRF6628은 US $0.89,  IRF6629는 US $0.95로 가격이 책정되었다. 가격은 변동될 수 있다. DirectFET MOSFET 제품들은 RoHS를 준수한다.
그래픽 / 영상
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