D3 반도체 초접합 +FETs™ Push Performance Envelope

2017년 03월 30일

경쟁력있는 반도체 시장에 새로운 제품의 출현
– 다양한 패키지 구성으로 650V-정격 모델; 전반적으로 업계 최고의 FOM

반도체 계열 회사와 최고 탤런트를 함께 제공하는 회사인 D3 Semiconductor는 650V-정격 초접합 MOSFET의 +FET™ 라인을 발표함으로 파워 반도체 시장에 첫 진출을 발표하였습니다. +FET MOSFET는 통신, 엔터프라이즈 컴퓨팅, UPS 및 태양열에 사용하는 PFC부스트 및 인버터를 포함하여 하드-스위치 응용을 위한 다양한 고-효율 솔루션을 가능하게 합니다.

새로이 출현되는 +FET 제품에는 1000 mOhms에서 32 mOhms까지 범위가 있는13개의 의 다른RDS(ON) 정격을 가진 50개 이상의 장비를 포함합니다. 패키지 타입에는 전통적인 관통-구멍 (TO-220/TO-220FP), 표면-장착(DPAK/D2PAK) 및 진보된 표면-장착 (5x6/8x8) 장비들이 있습니다. 모든 패키지 사이즈 및 정격에서, D3 반도체’s +FET는 현재 사용가능한 것 들 중 가장 좋은 Qg RDS(ON) FOM (Figure of Merit)을 보여줍니다.

스위칭 및 전도 손실을 줄임으로, 새로운 +FET MOSFET의 고 효율성은, 열관리를 간단하게 합니다. 장비의 부드러운 스위칭 행동은 스위칭 잡음을 줄이고 스너버 회로의 필요성을 줄여 빠른 설계 사이클을 제공합니다. 패키지 타입당 고-전류 장점은 파워 공급 밀도를 개선하여, 첨단 표면-장착 패키지의 고도 전력 설계의 사용을 가능하게 합니다.

“+FET의 탁월한 성능 및 신뢰도에 추가하여, 본사의 로드맵은 혼합-신호 기능을 고-전압 스위칭 장비에 주입함으로 파워 장비의 DNA를 변경합니다.” - 탐 해링턴(Tom Harrington), D3 반도체 최고 기술 책임자.

“+FET장비의 초기 생산 제품들은 고-성능 초접합 MOSFET으로 이들은 경쟁 부품들의 소켓-대-소켓 대치품입니다.” – 마티 브라운(Marty Brown), D3의 수석 컨설턴트 - “그들의 능력은 설계자의 손에 더 많은 조정을 부여하여 시스템 다자인 주기를 줄이며 파워 밀도를 최적화할 수 있도록 합니다. 이러한 제품들의 광범위한 벤치마킹은 이미 그들의 세계적 수준의 경쟁력있는 성능을 제공합니다.”

초기 +FET 제품 라인을 보여주는 제품 라인을 참조하시려면, http://www.d3semi.com/MOSFET-Overview를 방문하십시오.

• 미국내에서 650V/80mOhm +FET - 1000개당 값: $1.84
• 전형적 리드 타임 - 10 주