EPC의 eGaN FET 및 고주파수 동기식 부트스트랩 기술을 이용한 15MHz 하프-브리지 개발 보드 출시

2016년 04월 01일

EPC의 새로운 개발 보드는 벅 컨버터나 ZVS 클래스-D 앰프로 설정이 가능하며, eGaN FET 동기식 부트 스트랩 증강식 게이트 드라이버를 이용해 높은 주파수에서도 손실을 줄여준다.

EPC(Efficient Power Conversion Corporation,

www.epc-co.com)는 벅 컨버터나 ZVS 클래스-D 앰프로 설정이 가능한 EPC9066, EPC9067, EPC9068 개발 보드를 출시했다. 이 보드는 전력 시스템 디자이너들이 질화갈륨 트랜지스터의 탁월한 성능을 손쉽게 평가할 수 있도록 해주며, 디자이너들이 보다 빨리 제품의 양산체제를 갖출 수 있도록 해준다. 3종의 보드 모두 최대 15MHz의 높은 주파수 동작에서 효율을 높일 수 있도록 제로 역회복(Q_RR) 동기식 부트 스트랩 정류기 증강 게이트 드라이버를 갖추고 있다. 이 보드는 벅 및 ZVS 클래스-D 앰프 구성에서 최대 2.7A의 출력을 낼 수 있다. 또한 전 범위에 걸쳐 손실이 감소되는 것으로 나타났다.

EPC9066/67/68 보드는 각각 40V, 65V, 100V 정격 eGaN FET를 갖추고 있으며, 2” x 1.5” 크기로 하프-브리지 구성으로 배치된다. 각 보드는 TI(Texas Instruments)의 LM5113 게이트 드라이버와 전원 및 바이패스 커패시터를 사용한다. 이 게이트 드라이버는 100V, 2800mΩ EPC2038 eGaN FET를 갖춘 동기식 FET 부트 스트랩 회로로 구성되었으며, 내부 부트 스트랩 다이오드의 역회복에 의한 드라이버 손실을 없애준다. 또한 이 보드는 DC 입력 및 출력을 위한 다양한 켈빈(Kelvin) 측정 포인트 및 프로브 포인트를 갖추고 있으며, 고출력 동작을 위한 히트 싱크를 설치할 수 있도록 구성되었다.

개발 보드 구성을 포함한 동작 부하 조건은 특정 보드의 성능을 좌우하는 최적의 설계 부하 전압 및 저항을 결정한다. 각 보드의 디바이스 파라미터는 아래 표에서 확인할 수 있다.

이 보드를 위한 설정 과정 및 회로 다이어그램, BoM(Bill of Material), 거버 파일(Gerber file)을 포함하고 있는 퀵 스타트 가이드(Quick Start Guides)는 온라인 http://epc-co.com/epc/Products/DemoBoards.aspx에서 제공된다.

가격 및 공급
EPC9066/9067/9068 보드는 각 158.13달러에 공급되며, 현재 디지키(Digi-Key) 웹사이트에서 주문 가능하다.

EPC 소개
EPC는 인핸스먼트 모드(Enhancement Mode) 질화갈륨 기반 전력관리 디바이스 분야의 선도적인 공급업체이다. EPC는 DC-DC 컨버터 및 무선 전력 전송, 인벨롭 트래킹, RF 전송, 전력 인버터, 원격 센싱 기술(LiDAR), 클래스-D 오디오 증폭기와 같은 애플리케이션에서 파워 MOSFET을 대체하는 eGaN(enhancement-mode Gallium-Nitride-on-silicon) FET를 최초로 도입했으며, 최상의 실리콘 파워 MOSFET 보다 수배이상 뛰어난 디바이스 성능을 갖추고 있다. 또한 EPC는 탁월한 공간 및 에너지, 비용 효율성을 제공하는 eGaN-기반 IC 포트폴리오도 확장해 나가고 있다.

웹사이트: www.epc-co.com
참조: eGaN은 Efficient Power Conversion Corporation의 등록된 상표입니다.