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EPC는 두 종의 새로운 80V, AEC-Q101 인증 GaN FET를 출시하고, 차량의 48V-12V DC-DC 변환과 인포테인먼트 및 자율주행을 위한 라이다 등의 애플리케이션에서 실리콘 MOSFET보다 훨씬 작고 효율적인 솔루션을 제공한다. 

인핸스먼트 모드 질화갈륨(eGaN) FET 및 IC 분야의 세계적인 선도기업인 EPC(Efficient Power Conversion Corporation)는 자동차 애플리케이션을 위한 상용 질화갈륨 트랜지스터 제품군을 확장했다고 밝혔다. 2.5mm x 1.5mm 풋프린트로 125A 펄스 전류를 제공하는 80V, 6mΩ EPC2204A와 3.5mm x 1.95mm 풋프린트로 231A 펄스 전류를 제공하는 80V, 3.2mΩ EPC2218A 등 두 종의 새로운 제품이 출시되었다. 이 제품들은 차량의 48V-12V DC-DC 변환과 인포테인먼트 및 자율주행을 위한 라이다 등의 애플리케이션에서 실리콘 MOSFET보다 훨씬 작고 효율적인 솔루션을 제공한다.

EPC2204A 및 EPC2218A는 마일드 하이브리드 차량을 위한 48V-12V 양방향 컨버터와 자동차 및 트럭의 24V-48V DC-DC를 비롯해 인포테인먼트, 조명 및 ADAS 애플리케이션 등 높은 전력밀도를 요구하는 까다로운 애플리케이션에 매우 적합하다. 

이 디바이스들은 낮은 게이트 전하(Q_GD)와 제로 역복구 손실을 통해 1MHz 이상의 고주파수 동작이 가능하다. 이러한 성능 지수는 초소형 풋프린트 및 고효율과 함께 최첨단 전력밀도를 지원한다. 

예를 들어, 2kW ~ 4kW에 이르는 48V-12V 컨버터의 경우, GaN 디바이스는 실리콘 MOSFET 솔루션보다 5배 더 높은 주파수로 동작할 수 있다. 또한 인덕턴스가 4분의 1에 불과해 인덕터 크기와 손실을 줄이고, 위상당 또는 최대 위상의 절반으로 전류를 40%까지 높일 수 있어 시스템 비용을 절감하고, 크기는 절반으로 줄일 수 있다. 더 작은 크기에도 불구하고 효율은 MOSFET 솔루션보다 2% 이상 높은 최대 98%까지 증가한다.

차량의 인포테인먼트 애플리케이션에 사용되는 저전력 DC-DC의 경우, 2MHz 이상으로 동작하는 GaN을 통해 간섭을 방지하고, 가장 작은 크기의 솔루션을 구현할 수 있다. 

또한 GaN의 빠른 스위칭 속도와 나노초 미만의 전환율 및 3ns 미만의 고전류 펄스 생성 기능을 통해 자율주행, 주차 및 충돌 방지를 위한 라이다(LiDAR) 애플리케이션에서 더 긴 동작범위와 더 높은 분해능을 제공할 수 있다. 

EPC의 공동설립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “EPC2204A 및 EPC2218A는 자동차용 라이다 및 48V DC-DC 애플리케이션에 이상적인 스위치이다. 이러한 80V 디바이스를 통해 고효율 차량의 전기화 및 첨단 자율 애플리케이션의 성능과 비용을 개선할 수 있다.”며, “EPC는 15V ~ 100V 범위의 디바이스를 대량으로 출하하여 자동차 시장을 지원하고 있으며, 향후 더 많은 제품이 출시될 예정이다.”고 밝혔다.