반도체 전문 온라인 매거진 - 올포칩

전력용 반도체 전문회사인 인터내셔날 렉티파이어 코리아(International Rectifier Korea : IR 코리아 대표 안윤섭) 는 ZVS (zero voltage switching: 영전압 스위칭) 회로와 같은 소프트스위칭 제품에 맞춰 고속 본체 다이오드 특성을 가진 신형 600V HEXFET 전력MOSFET 제품군을 출시했다. ZVS는 효율과 신뢰성이 가장 중시되는 요즘 초고속, 광대역 전기통신 및 데이터통신 시스템에 들어가는 SMPS(스위치모드 전력공급장치) 회로에서 효율을 극대화하여 출력전력을 높이기 위해 사용되는 기술이다. L시리즈 HEXFET MOSFET에는 고속 본체 다이오드가 구현되어 있어 ZVS 회로에서 숏키(Schottky)나 HV다이오드가 별도로 필요치 않아 소자수가 감소하여 크기도 축소된다. 보통 하드스위치로 동작하는 브리지 또는 역률(power factor) 보상회로 제품과 달리 이 신형 제품은 내부 본체 다이오드가 듀티사이클의 일정 부분동안 전류를 전달하기 때문에 시스템 신뢰도를 향상시켜 준다. ZVS를 적용한 전력공급장치 설계는 내부 본체 다이오드가 전류를 흘릴 때 MOSFET를 Turn-on시키므로 사실상 Turn-on 손실이 발생하지 않는다. IR코리아 안윤섭 사장은 “IR사의 L시리즈 MOSFET 제품은 스위칭손실 및 전체 손실을 현저히 감소시키므로 더 높은 주파수에서 동작하는 전력공급장치 설계도 가능하게 되어 수동소자의 크기를 감소시키고 전력밀도를 높일 수 있다”라며 “슛쓰루(shoot-through) 조건을 최소화하고 구동회로를 단순화하기 위해 대부분의 신형 L시리즈 MOSFET 제품은 애벌런치내량이 높으며 게이트-소스간 전하와 게이트-드레인간 전하 비율을 향상시켰다”라고 덧붙였다. L시리즈 제품에 탑재된 본체 다이오드의 최대 역회복시간은 250ns 이하인데 이는 더 낮은 전류를 사용하는 제품보다도 짧은 것이다. 이렇게 역회복 주기가 짧으므로 턴오프 동작동안 고전압이 부품에 인가되기 전에 전체 본체 다이오드는 전도상태에서 차단상태로 완전히 회복할 수 있게 된다. 고속 본체 다이오드를 포함한 신형 600V HEXFET 전력MOSFET는 즉시 구입가능하며 제품에 대한 보다 자세한 정보는 www.irf.com에서 얻을 수 있다. <문의 : 02-557-7613>