TI, 업계 최저 저항의 NexFET™ N채널 전력 MOSFET 출시

2015년 01월 22일

5mm x 6mm QFN 패키지로 저항(Rdson)이 가장 낮은 25V 및 30V 디바이스

TI (대표이사 켄트 전)는 자사의 NexFET™ 제품군에 11개의 새로운 N채널 전력 MOSFET 제품을 추가한다고 밝혔다. 이들 신제품 중에서 25V CSD16570Q5B와 30V CSD17570Q5B는 핫스왑(Hot-swap) 및 오링(ORing) 애플리케이션에 적합하며 QFN 패키지로 업계에서 가장 낮은 온-저항(Rdson)을 제공한다. 이와 더불어 저전압 배터리로 구동되는 애플리케이션에 사용이 적합한 TI의 신제품 12V FemtoFET™ CSD13383F4는 극소형의 0.6mm x 1mm 패키지로 경쟁제품 대비 84%의 가장 낮은 저항 특성을 가진다. (보다 자세한 정보 및 샘플, 레퍼런스 디자인은 www.ti.com/csd16570q5b-pr-kr 참조)

CSD16570Q5B와 CSD17570Q5B NexFET MOSFET은 높은 전류에서 더 높은 전력 변환 효율을 달성하므로 컴퓨터 서버와 통신장비 애플리케이션에서 보다 안전한 동작이 가능하다. 예를 들어 25V CSD16570Q5B는 최대 0.59mW의 저항을, 30V CSD17570Q5B는 최대 0.69mW의 저항 특성을 가진다. 이와 관련 내용을 담은 블로그 기사 “핫스왑 및 오링 FET 컨트롤러로 설계 시 전력 MOSFET SOA (Safe Operating Area) 곡선”을 확인할 수 있다. 또한, TI의 CSD17570Q5B NexFET을 채택한 12V 60A 핫스왑 레퍼런스 디자인을 다운로드할 수 있다.

DC/DC 컨트롤러 애플리케이션을 위해 TI의 새로운 CSD17573Q5B 및 CSD17577Q5A를 LM27403과 함께 사용함으로써 완벽한 동기식 벅 컨버터 솔루션을 구현할 수 있다. 또한, CSD16570Q5B와 CSD17570Q5B NexFET 전력 MOSFET을 TPS24720와 같은 TI의 핫스왑 컨트롤러와 함께 사용할 수 있다. 애플리케이션 노트 “신뢰성있는 핫스왑 설계 (Robust Hot Swap Designs)”에서 직렬 소자로서 트랜지스터 선택 방법, 모든 가능한 조건하에 보다 안전한 동작을 위한 설계 방법에 대해 확인할 수 있다.

공급시기, 패키징, 가격
CSD17573Q5B와 CSD17577Q5A는 TI와 TI 공인 대리점을 통해서 공급하고 있다. 권장 소비자가는 1,000개 수량 기준으로 FemtoFET CSD13383F4는 개당 0.1달러에서부터 제공되며, CSD17670Q5B와 CSD17570Q5B는 개당 1.08달러에 제공된다.

TI의 NexFET 전력 MOSFET
TI의 NexFET 전력 MOSFET은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 산업용, 전원 공급 장치와 같은 애플리케이션에서 에너지 효율을 향상시킨다. 시스템 설계자들은 이들 제품의 고주파 고효율 아날로그 전력 MOSFET을 통해 현재 이용할 수 있는 가장 향상된 DC/DC 전력 변환 솔루션을 활용할 수 있다.