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도시바는 몰레큘러 임프린트의 Imprio® 250 시스템을 사용해 협폭의 트렌치(Trench) 특징들을 18nm까지 낮춰 제조했다. 도시바는 덴마크 코펜하겐에서 개최된 마이크로 및 나노 공학(Micro- and Nano-Engineering, MNE)에 관한 제 33회 국제 회의에서 “22nm 노드 CMOS 디바이스를 위한 나노 임프린트 애플리케이션”이라는 제목의 논문을 통해 연구 결과를 발표했다. 

논문에서 발표된 결과들은 차세대 반도체 제조를 위한 몰레큘러 임프린트의 S-FIL®(Step and Flash Imprint Lithography)기술의 공정 능력 및 안정성을 잘 나타내주고 있다. 이미징, 결함 및 오버레이 제어 부문에서의 기존 성능도 크게 향상된 것으로 확인됐다. 특히, 도시바는 1nm 미만의 CDU(critical dimension uniformity) 및 2nm LER(line edge roughness)의 18nm 절연 특징 및 24nm 밀도 특징을 형성하는데 몰레큘러 임프린트의 Imprio 250 시스템을 사용하였다. 결함 레벨은 cm2당 0.3 미만 정도로 낮았으며, 이는 이머전 리소그래피와 비슷한 수준이다. 디바이스 오버레이에 대한 결과도 역시 도시바가 요구한 사양을 충족했다. 

몰레큘러 임프린트의 마크 멜리아 스미스(Mark Mellia-Smith) CEO는 “차세대 CMOS 제조 분야의 혁신에 있어 도시바가 이룩한 놀라운 업적에 찬사를 보내며, 연구 개발에 몰레큘러 임프린트의 Imprio 250 시스템을 이용하기로 결정한 것에 대해 매우 기쁘게 생각하고 있다”며 “다른 주요 칩 제조업체들이 달성한 강력한 툴 성능과 더불어 이번에 도시바가 얻어낸 결과를 통해 Imprio 250의 우수한 성능이 재입증 되었다. 몰레큘러 임프린트의 기술은 극 자외선 리소그래피(Extreme ultraviolet lithography)와 달리 기존의 광 리소그래피 인프라를 기반으로 하기 때문에 초고밀도 CMOS 디바이스를 경제적으로 생산하는데 이상적으로 활용될 수 있다. 우리는 진보된 S-FIL 기술이 32nm 노드에서 중요한 디바이스 레이저 애플리케이션을 위한 실용적 솔루션이자 22nm 이상에서도 우수한 성능을 제공할 수 있는 솔루션이라고 믿는다”고 말했다.