반도체 전문 온라인 매거진 - 올포칩

넥스페리아(Nexperia)가 R_DS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다고 발표했다. 이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 R_DS(on) 값을 가진 포트폴리오의 첫 제품들이다. 

이 제품들은 전기 자동차(EV) 충전 파일, 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터를 포함한 산업 응용 분야에서 더욱 필요로 하는 고성능 SiC MOSFET의 수요를 충족시켜준다. 

넥스페리아의 카트린 퓨를(Katrin Feurle) 수석 이사 겸 SiC 제품 그룹 책임자는 "당사는 더 많은 와이드 밴드갭 장치 공급업체를 요구해 온 이 시장에서 미쓰비시 전기의 혁신적인 기술을 접목했다”며 “넥스페리아는 이제 높은 R_DS(on) 온도 안정성, 낮은 바디 다이오드 전압 강하, 엄격한 임계 전압 사양, 매우 균형 잡힌 게이트 전하비 등 여러 매개변수에서 동급 최고의 성능을 제공하는 SiC MOSFET 소자들을 제공하게 되었다. 미쓰비시 전기와의 파트너십을 통해 최고 품질의 SiC MOSFET가 생산을 시작했으며 이를 계기로 향후 몇 년 동안 SiC 소자 기술을 더욱 향상시킬 것이다”라고 언급했다. 

미쓰비시 전기의 토루 이와가미(Toru Iwagami) 전력 장치 부문, 반도체 및 소자 사업부 수석 총괄 관리자는 "넥스페리아와 함께 한 파트너십의 첫 번째 제품으로 이 SiC MOSFET을 출시하게 되어 기쁘다”며 "당사는 그동안 축적해온 SiC 전력 반도체의 우수한 전문 지식으로 고유한 특성를 가진 제품들을 제공하고 있다고 설명했다. 

넥스페리아의 SiC MOSFET제품들은 총 게이트 전하 (Q_G)가 매우 낮아 게이트 구동 손실을 줄여준다는 장점을 가진다. 이 제품들은 Q_GD 와 Q_GS의 비율이 매우 낮도록 게이트 전하의 균형을 유지함으로써 기생 턴온에 대한 소자 내성을 증가시져준다. 

정비례 온도 계수를 가진 넥스페리아의 SiC MOSFET제품들은 소자 간 임계 전압인 VGS(th)의 초저 확산을 제공함으로써 이 소자들이 병렬로 작동할 때 정적 및 동적 조건에서 매우 균형 잡힌 전류를 전달한다. 또한 낮은 바디 다이오드 순방향 전압(V_SD) 파라미터는 소자의 견고성과 효율성을 높이는 동시에 비동기 정류 및 프리 휠 작동에 대한 데드 타임 요구 사항을 완화시켜준다.