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100V, 1amp, 550mΩ의 EPC2037 인핸스먼트-모드 GaN(Gallium Nitride) 파워 트랜지스터는 디지털 드라이브에서 직접 구동되며, 클래스-D 및 클래스-E 무선 충전 애플리케이션의 탁월한 성능을 위해 높은 주파수 스위칭을 제공한다.

EPC(Efficient Power Conversion Corporation, www.epc-co.com)는 EPC의 인핸스먼트-모드 GaN(Gallium Nitride) 파워 트랜지스터(eGaN FET) 제품군의 최신 제품인 EPC2037을 출시했다.

EPC2037은 최대 550mΩ의 RDS(on)과 5V 게이트 전압을 갖춘 소형의 0.9mm x 0.9mm, 100VDS, 1A 디바이스이다. 이 GaN 트랜지스터는 매우 높은 스위칭 주파수와 낮은 RDS(on), 그리고 매우 낮은 QG 특성을 통해 고성능을 제공하면서도 초소형 패키지로 구현되었다. 이 eGaN FET는 디지털 로직 IC에서 직접 구동되도록 설계되었기 때문에 별도의 고가의 드라이버 IC가 필요하지 않다.

드라이버 IC가 필요한 비슷한 온-저항값의 최신 실리콘 파워 MOSFET과 비교해 EPC2037은 훨씬 더 작고, 몇 배 이상 뛰어난 스위칭 성능을 가지고 있다. 무선 충전 애플리케이션과 더불어, eGaN FET 성능으로 혜택을 얻을 수 있는 회로 애플리케이션으로는 고주파수 DC-DC 변환, LiDAR/펄스 전력, 클래스-D 오디오 앰프 등이 있다.

개발 보드
최신 고성능 eGaN FET 평가 프로세스를 간소화할 수 있는 EPC9051 개발 보드는 EPC2037의 ‘인서킷(In Circuit)’ 성능 평가를 손쉽게 할 수 있도록 제공된다.

EPC9051은 고효율, 차동 모드 클래스-E 앰프 개발 보드로, 별도의 드라이버 IC를 추가하지 않고도 최고 15MHz로 동작할 수 있다. 이 개발 보드의 용도는 eGaN® FET를 이용한 클래스-E 앰프 기술의 평가 프로세스를 간소화하기 위한 것으로, 엔지니어는 모든 중요한 클래스-E 컴포넌트들을 단일 보드 상에 손쉽게 탑재할 수 있으며, 기존 시스템과 간편하게 연결할 수 있다.

또한 이 보드는 로우-사이드 스위치가 활용되는 애플리케이션에도 적용이 가능하다. 예를 들어, 푸시-풀(Push-Pull) 컨버터, 전류-모드 클래스-D 앰프, 공통소스 양방향 스위치, 그리고 LiDAR과 같은 일반적인 고전압, 협대역 펄스 애플리케이션을 비롯해 다양하다.

이 앰프 보드는 100V 정격 EPC2037 eGaN FET를 갖추고 있고, 차동 모드로 동작하도록 설정되어 있으며, 싱글-엔디드 모드로 동작하도록 재구성이 가능하다. 이 개발보드의 주요 기능은 eGaN FET를 위한 위한 게이트 드라이브가 필요하지 않다는 것과 로직 게이트에서 직접 구동된다는 것이다. 또한 별도의 로직 서플라이 레귤레이터는 보드 상에서 제공된다.

가격 및 공급시기
EPC2037 파워 트랜지스터의 가격은 1천개 기준으로 0.55달러이며, EPC9051 개발보드는 158.13달러이다. 두 제품 모두 현재 디지키(Digi-Key)를 통해 즉시 구입 가능하다. http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en