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120V, 60밀리옴 EPC2110 듀얼 인핸스먼트-모드 질화 갈륨 전력 IC는 무선 전력 전송 클래스-E 앰프 애플리케이션에서 탁월한 성능을 구현할 수 있도록 초고주파수 스위칭을 제공한다.

EPC(Efficient Power Conversion Corporation, www.epc-co.com)는 자사의 인핸스먼트-모드 질화 갈륨 IC 제품군 중 최신 제품인 EPC2110을 출시했다.

EPC2110은 듀얼(공통-소스) eGaN FET 컨피규레이션으로, 크기는 불과 1.35mm x 1.35mm로 매우 작은데다, 최대 60밀리옴 RDS(on) 과 5V의 게이트 적용전압을 갖춘 120VDS, 20A 디바이스이다.

비슷한 온-저항을 갖춘 최신 실리콘 전력 MOSFET과 비교해 EPC2110은 크기는 훨씬 작은데다, 몇 배 뛰어난 스위칭 성능을 갖추고 있다. eGaN IC 성능을 통해 혜택을 얻을 수 있는 회로 애플리케이션으로는 초고주파수 DC-DC 변환, 동기식 정류기, 클래스-D 오디오 앰프 등이 있으며, 특히 무선 전력 전송 분야에 매우 이상적이다. EPC2110의 가격은 1천개 기준으로 1.06달러이며, 디지키(Digi-Key Corporation)를 통해 즉시 구매 가능하다.

eGaN FET를 위한 디자인 정보 및 지원

• EPC2110 데이터시트:
http://epc-co.com/epc/Products/eGaNFETs/EPC2110.aspx

• 애플리케이션 노트, 기술문서 다운로드 및 디자인 지원:
http://epc-co.com/epc/GaNLibrary.aspx

• 무선 전력 핸드북:
http://epc-co.com/epc/Products/Publications/WirelessPowerHandbook.aspx

• 무선 전력 애플리케이션을 위한 GaN FET:
http://epc-co.com/epc/Applications/WirelessPower.aspx

EPC 소개
EPC는 향상된 방식의 질화 갈륨 기반 전력관리 디바이스 분야의 선도적인 공급업체이다. EPC는 DC-DC 컨버터 및 무선 전력 전송, 인벨롭 트래킹, RF 전송, 전력 인버터, 원격 센싱 기술(LiDAR), 클래스-D 오디오 증폭기와 같은 애플리케이션에서 파워 MOSFET을 대체하는 eGaN(enhancement-mode Gallium-Nitride-on-silicon) FET를 최초로 도입했으며, 최상의 실리콘 파워 MOSFET 보다 수배이상 뛰어난 디바이스 성능을 갖추고 있다.
웹사이트: www.epc-co.com