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EPC(Efficient Power Conversion)는 2개의 새로운 질화갈륨 디바이스를 출시하고
AEC Q101 제품군을 확장했다.

EPC(Efficient Power Conversion)는 자동차 및 기타 열악한 환경에서 다양한 애플리케이션을 처리할 수 있는 새로운 두 개의 eGaN 디바이스에 대한 AEC Q101 인증을 획득했다고 밝혔다. 새로운 제품인 EPC2206 및 EPC2212는 각각 80 VDS 및 100 VDS 등급의 WLCS(Wafer Level Chip-Scale) 패키지 기반의 디스크리트 트랜지스터이다.

eGaN 기술은 자율 주행 차량을 위한 LiDAR(Light Detection and Ranging) 및 레이더를 비롯해 데이터 센터 컴퓨터에 사용되는 48V ~ 12V DC-DC 컨버터와 매우 높은 충실도의 인포테인먼트 시스템 및 트럭용 고휘도 헤드램프와 같은 자동차 애플리케이션에서 수십억 시간의 성공적인 현장 경험을 축적하면서 지난 8년 동안 대량 생산이 이뤄지고 있다. 이러한 새로운 디바이스는 엄격한 자동차 등급인 AEC Q101 인증 테스트를 통과했으며, 가혹한 자동차 환경을 위해 설계된 디스크리트 트랜지스터와 IC들도 계속 출시될 예정이다.

EPC2206은 6.1mm x 2.3mm 칩 스케일 패키지 기반의 390A의 펄스 전류 등급을 갖춘 80V, 2.2mΩ의 인핸스먼트-모드(Enhancement-Mode) FET이다. EPC2212는2.1mm x 1.6mm 칩 스케일 패키지 기반의 75A의 펄스 전류 등급을 갖춘 100V, 13.5mΩ의 컴포넌트이다. 이러한 eGaN FET는 동급의 실리콘 MOSFET에 비해 크기는 수배 더 작고, 스위칭 속도는 10배에서 100배 더 빠르다.

EPC2206은 최신 자동차에서 증가하고 있는 전력소모가 많은 전자식 기능을 처리하기 위해 48V 버스 전력 분배를 활용하는 차량에 매우 적합하다. 주요 애플리케이션으로는 전자식 스타트-스톱(Start-Stop)을 비롯해 전자식 스티어링 및 전자식 서스펜션, 변속 에어컨 등이 해당된다. 또한 자율주행 차량이 등장하면서 LiDAR, 레이더, 카메라, 초음파 센서와 같은 시스템의 추가 요구사항을 충족할 수 있는 전력 분배 시스템이 요구되면서 48V 버스 시스템으로의 이동이 가속화되고 있다. EPC2206과 같은 GaN 디바이스는 48V 버스 시스템에서 효율을 높이고, 크기와 무게를 줄이면서도 시스템 비용을 절감할 수 있도록 해준다.

EPC2212는 매우 짧은 펄스폭으로 높은 전류를 생성하도록 FET를 트리거할 수 있기 때문에 LiDAR 시스템의 레이저 발사에 매우 적합하다. 펄스 폭이 짧으면 분해능이 높아지고, 펄스 전류가 높을수록 LiDAR 시스템은 더 멀리 있는 객체를 식별할 수 있다. 이러한 두 가지 특성과 매우 작은 크기 및 저비용을 모두 갖춘 eGaN FET는 까다로운 자동차 애플리케이션의 LiDAR는 물론, 레이더 및 초음파 센서에도 이상적이다.

EPC의 공동 창업자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lido)는 “이러한 두 종의 자동차 제품은 자율주행을 실현하고, 연비와 안전성을 향상시킬 수 있도록 설계된 차세대 트랜지스터와 IC로 이어질 것이다. 우리의 eGaN 기술은 오늘날 자동차에 사용되는 기존의 실리콘 파워 MOSFET에 비해 훨씬 더 작고, 효율적이며, 낮은 비용과 높은 신뢰성을 제공한다.”고 밝혔다.

가격 및 공급
EPC2206 eGaN FET는 500개 기준 3.65달러이며, EPC2212는 1천개 기준 1.37달러이다. 두 제품 모두 디지키(Digi-Key, http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en)를 통해 즉시 구매할 수 있다.

EPC 소개
EPC는 인핸스먼트 모드(Enhancement Mode) 질화갈륨 기반 전력관리 디바이스 분야의 선도 공급업체이다. EPC는 DC-DC 컨버터 및 무선 전력 전송, 인벨롭 트래킹, RF 전송, 전력 인버터, 원격 센싱 기술(LiDAR), 클래스-D 오디오 증폭기와 같은 애플리케이션에서 파워 MOSFET을 대체하는 eGaN(enhancement-mode Gallium-Nitride-on-silicon) FET를 최초로 출시했으며, 최상의 실리콘 파워 MOSFET 보다 수배 이상 뛰어난 디바이스 성능을 제공한다.

보다 자세한 정보는 www.epc-co.com에서 확인할 수 있다.

참조: eGaN은 Efficient Power Conversion Corporation Inc.의 등록된 상표입니다.