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세계적인 반도체 제조사인 STMicroelectronics는 급속도로 성장하고 있는 난드 플래시 메모리 시장에 진출할 것이라고 발표했다. ST는 세계 4위의 노어형 플래시 메모리 제조사이며, 이번에 하이닉스 반도체와 협력하여 난드 플래시 메모리 제품의 공동 개발에 대한 협정을 체결하였다. 공동 개발된 난드 플래시 제품은 양사에서 같이 판매될 것이며, 2003년 하반기 512Mbit 제품 출시를 시작으로 완벽한 난드 플래시 포트폴리오를 선보이게 될 것이다. 노어 및 난드 플래시는 서로 다른 메모리 배열 구조를 사용하기 때문에 서로 다른 어플리케이션에서 각각의 기능을 발휘한다. 난드 메모리 셀은 노어의 40%정도 크기이며, 비트당 더 낮은 비용으로 작동한다. 또한 난드 메모리는 특히 순차 접근에 최적화되었는데, 이에 대한 실례로는 VCR 테이프의 재생하기와 유사한 대용량의 데이터가 순차적 어드레스로부터 정상적으로 판독되는 것이 있다. 이와는 반대로, 노어 플래시는 임의 접근이 빠르기 때문에, 노어 구조가 프로그램 코드의 직접 실행에 이상적이다. 역사적으로 노어형 제품들은 플래시 시장을 지배해왔으며, 2002년 8십억불에 달하는 세계 시장의 4분의 3을 차지한다. 그러나 오늘날 난드 시장은 급속도로 성장하고 있으며, 난드 메모리가 더 적합한 데이터 종류인 스트리밍 비디오 클립과 같은 모바일 멀티미디어 기능에 대한 수요가 증가함으로써 성장이 더욱 가속화되고 있다. STMicroelectronics의 플래시 메모리 사업부의 총책임자인 마리오 리치아델로(Mario Licciardello)는 “지금까지 ST는 반도체 시장에서 가장 큰 부분을 차지하는 노어형 플래시에 집중하여 기술 및 시장 점유율 부분에서 세계적으로 선두를 차지해 왔다. 지금이 ST의 플래시 포트폴리오를 난드 제품으로 확장하여 저비용, 고집적 데이터 저장에 대한 급속한 수요 증가에 부응해야 할 적기이다”라며, “비용 효과적인 난드 플래시 메모리는 이동 전화, MP3 플레이어, PDA 및 유사한 노매딕 제품에서 이미지, 음악 파일 및 기타 멀티미디어 데이터를 저장하는 기능을 지원하여 컨슈머 시장 부활의 주요 원동력이 될 것이다.”라고 밝혔다. ST와 하이닉스 간의 제휴에 대한 합의는 기술 개발, 제품 설계 및 제조 물량을 포함하여 공동 포트폴리오 확장 등의 전분야에 이르게 된다. 양사의 첫번째 난드 플래시 제품은 플래시 메모리 설계 분야에서 입증된 ST의 기술력과 하이닉스의 SDRAM 공정 기술 및 대량 제조의 노하우에 기반 하여 제작될 예정이다. 최초의 제품은 서울에서 제조될 것이나 상호간의 출원에 대한 조항은 협정에 제시되어 있지 않다. ST와 하이닉스는 임베디드 시스템을 위한 중간 단계에서 높은 단계 및 대용량 저장을 위한 높은 단계에서 매우 높은 단계까지의 광범위한 스펙트럼의 밀도를 필요로 하는 어플리케이션의 증가 및 다양화를 기대하고 있다. 이에 대한 어플리케이션에는 멀티미디어가 가능한 이동 전화, 디지털 스틸 및 비디오 카메라, 하이엔드 DVD 플레이어, HDTV 및 셋톱박스 등이 있다.