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AMD(NYSE:AMD) 연구진들은 반도체 업계 최초로 차세대 트랜지스터 연구 개발을 위한 중요한 이정표를 세우는 쾌거를 이뤘다. AMD 연구진들은 오늘날 최고 성능을 자랑하는 PMOS(P-channel metal-oxide semiconductor) 트랜지스터 보다 최고 30% 더 빠른 고성능 트랜지스터의 개발을 완료하고 시연했다. 본 연구에 대한 자세한 내용은 6월에 완전 공개될 예정이다. 이번에 개발된 트랜지스터는 일반적으로 FDSOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator)라고 알려진 AMD 독자 기술을 사용했다. 관련 연구에서, AMD 연구진들은 또한 메탈 게이트(metal gate)를 사용함으로써 기존 SS(strained silicon) 디바이스보다 20-25% 더 뛰어난 성능을 구현하는 SS 트랜지스터를 업계 최초로 시연해 보였다. 이러한 성과는 AMD의 공정 기술 로드맵에 새로운 이정표를 세운 것으로 고객의 가장 까다로운 요구도 만족시킬 수 있는 미래의 마이크로프로세서를 설계할 수 있는 토대를 마련한 것이다. AMD의 공정 기술 개발 담당 부사장인 크레이그 샌더(Craig Sander)는 “고성능, 적은 전류 누설(current leakage) 및 저전압 요구 조건으로 작동되는 트랜지터 연구 분야를 선도함으로써 AMD 설계 팀에게 고객이 원하는 솔루션 개발을 위해 필요한 기반 기술을 제공할 수 있게 되었다”고 설명했다. AMD 컴퓨테이셔널 제품 그룹 부사장 겸 CTO(Chief Technical Officer)인 프레드 웨버(Fred Weber)는 “훌륭한 설계를 위해서는 우수한 툴과 소재를 확보하는 작업이 선행되어야 한다. 이와 같은 첨단 연구는 궁극적으로 AMD가 고객이 기대하는 최첨단 기능과 아키텍처의 우수성을 제공하는 발판을 마련하게 된 것이다”고 설명했다. 이들 최신 연구 성과들은 2005년 이후 반도체 제조 부문에서 중요한 역할을 할 것으로 기대되고 있다. 이들 모두 올해 일본 교토에서 6월11일과 12일 양 일간 개최되는 VLSI 심포지움에서 상세하게 선보이게 되며 AMD는 이 자리에서 본 연구에 대해 공식적으로 발표하게 된다. 보다 자세한 정보는 VLSI 웹 사이트인 www.vlsisymposium.org에서 제공되고 있다.”