반도체 전문 온라인 매거진 - 올포칩

인터내셔널 렉티파이어 코포레이션이 선도적인 소비가전 회사가 제조하는 홈 시어터 시스템을 위해 자사의 혁신적인 질화갈륨(GaN, Gallium Nitride) 기반 전력 디바이스 기술 플랫폼에 기반한 제품의 인증을 완료하고 선적한다고 발표했다.

IR의 사장 겸 CEO인 올렉 케이킨(Oleg Khaykin)씨는 “우리의 첨단 GaN-기반 기술 플랫폼과 IP 포트폴리오에 기반한 상용 선적을 개시함으로써 전력 반도체 디바이스 분야에 대한 IR의 선도력을 확장하고 우리의 고객들이 에너지를 절감할 수 있도록 지원한다는 우리의 핵심 목표에 따라 전력 변환 분야에 새로운 시대를 열게 되었다.”면서 “우리는 전력 변환 시장에 대한 GaN-기반 기술의 잠재적인 영향이 아직은 크지 않아도 IR이 30년 전에 전력 HEXFET®을 출시했을 때만큼 클 것이라고 기대하고 있다.”고 말했다.

이번 성과는 고객들이 첨단 실리콘 기반 기술 대비 최대 10배까지 핵심 애플리케이션별 FOM(figures of merit)을 개선할 수 있도록 지원하는 자본-효율적인 제조 모델을 제공함으로써 전력 관리 시장에서 인터내셔널 렉티파이어의 전략적 이점을 부각시킨다. 이번 최신 이정표를 통해 자사의 고객들에게 첨단 전력 관리 기술을 제공하고자 하는 인터내셔널 렉티파이어의 현재 진행중인 노력이 다시한번 입증되었다.

케이킨씨는 “GaN은 IR의 모든 사업부와 제품 라인에 장기간에 걸쳐 혼합될 수 있는 잠재력을 가지고 있다. 우리는 GaN에 대해 많은 기대를 가지고 있으며, 우리의 장기적인 매출 성장과 시장점유율 확장을 위한 주동력원 중 하나로 보고 있다. 나는 이러한 엄청난 성과를 달성하는 데 참여했던 모든 이들에게 감사하며 또한 축하하고 싶다.”고 말했다.

선도적인 GaN-기반 전력 디바이스 기술 플랫폼은 IR의 전유 GaN-온-실리콘 에피택시 기술에 기반한 10년 이상의 연구개발 활동의 결과이다. IR의 기존 비용 효과적인 실리콘 제조 설비와 완벽하게 호환되는 일련의 디바이스 제조 공정과 함께 고성능 150mm GaN-on-Si 에피택시는 고객들에게 GaN-기반 전력 디바이스를 위한 세계 최고 수준의 상용 가능 제조 플랫폼을 제공한다.