인피니언, CoolMOS™ C7 시리즈 출시
2013년 05월 20일
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인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 초접합(superjunction) MOSFET 기술을 적용한 신형 650V CoolMOS™ C7 MOSFET 제품군을 출시했다. 새로운 C7 제품군은 모든 표준 패키지에서 가장 우수한 RDS(ON)을 제공하며, 낮은 스위칭 손실로 전체적인 부하 범위에 걸쳐서 효율을 향상시킨다.

C7제품군은 CCM PFC(continuous conduction mode power factor correction), TTF(two transistor forward), 태양광 부스트 등의 하드 스위칭 토폴로지에 최적화 되었다. 주요 애플리케이션은 태양광, 서버, 통신 및 UPS(uninterruptible power supply) 등이다. 또한 650V 항복 전압을 특징으로 하는 C7 시리즈는 추가적인 안전성 마진을 필요로 하는 애플리케이션에도 적합하다.

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인피니언 테크놀로지스의 고전압 전력 변환 제품 사업부문을 총괄하고 있는 얀-빌헬름 레이나에르트(Jan-Willem Reynaerts)씨는 “인피니언은 지난 12년간 고품질의 초접합 CoolMOS 기술을 제공하기 위해서 기술 혁신을 지속해 왔으며, C7 시리즈를 통해 하이엔드 전력 변환 분야에서의 선도력을 더욱 강화할 수 있게 되었다. 동급 최상의 FOM(Figures of Merit, 성능계수, RDS(on)*EOSS)을 제공하는CoolMOS C7을 통해 고객들은 전에 없이 뛰어난 전력 밀도 및 효율을 달성하는 차세대 전력 변환 시스템을 설계할 수 있게 되었다.”고 말했다.

C7 시리즈는 TO-247 패키지에서 19mOhm, TO-220 및 D2PAK 패키지에서는 45mOhm의 업게 최저 RDS(on)(온-상태 저항)을 제공한다. C7의 고속 스위칭 성능은 고객들이 처음으로 100kHz 이상의 스위칭 주파수로 동작할 수 있도록 하며 서버 PFC 스테이지에서 티타늄 수준의 효율을 달성할 수 있도록 한다. 그러므로 수동 소자들에 필요한 공간을 줄일 수 있어 더 높은 전력 밀도를 가능하게 한다.

뿐만 아니라 출력 커패시턴스(EOSS)의 에너지를 낮추고 게이트 전하(Qg)가 낮으므로 경량 부하 조건일 때도 효율을 향상시킨다. 동급 최상의 성능을 제공하는 C7을 인피니언의 신형 실리콘 카바이드(SiC) thinQ™ 5세대 쇼트키 다이오드 시리즈 및 ICE2/ICE3 제어 IC와 결합하면 전에 없이 뛰어난 성능을 제공하는 CCM PFC 회로를 달성할 수 있다.

공급
650V CoolMOS C7 제품의 샘플이 현재 공급되고 있다. 양산은 2013년 6월에 시작될 예정이다.

인피니언의 650V CoolMOS C7 제품에 관한 더 자세한 내용은 www.infineon.com/c7에서 제공된다.

그래픽 / 영상
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