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질화갈륨(GaN)은 우수한 전자 이동성과 보다 강한 파괴 전압, 우수한 열 전도 성질의 특징을 지니므로 높은 스위칭 주파수 효율성을 필요로 하는 전력과 라디오 주파수(RF)  소자에 이상적이다. 현재 질화갈륨 파워 소자는 대량 생산에 너무 많은 비용을 소모하므로 비표준 생산 공정에 사용되는 소형 직경 웨이퍼로 가공, 사용된다.

아이멕의 광범위한 연구 프로그램은 비용을 절감하면서 질화갈륨(GaN) 소자의 성능을 향상시킬 수 있는 200mm 웨이퍼의 질화갈륨 온 실리콘 기술에 초점을 맞췄다. 선도적인 종합 반도체 회사(IDM),  파운드리, 화합물 반도체 회사, 설비 공급업체, 기판 공급업체와 더불어 아이멕은 그동안 상당한 기술적 진보를 성공적으로 이뤄왔다.

지난해, 아이멕의 연구 프로그램은 표준 고생산성 200mm 팹을 통해 가공이 가능한 200mm 질화갈륨 온 실리콘 웨이퍼를 성공적으로 생산했다. 또한 아이멕은 저비용 공정에 제2의 필수 조건인 표준 CMOS 공정과 툴에 부합되는 가공 공정도 개발했다.

온세미컨덕터의 선임 부사장이자 기술 사무소장인 한스 스톡 (Hans Stork) 은 “에너지 효율 소자에 초점을 맞춘 포트폴리오를 갖춘 상위 20위 글로벌 반도체 공급업체로서 온세미컨덕터는 최근 질화갈륨 실리콘 기술을 연구해왔으며, 현재 벨기에의  오데나데(Oudenaard)에 질화갈륨(GaN) 공정 라인을 설립 중에 있다”며 “당사는 아이멕과의 파트너십을 통해 업계에서의 위치를 재고해 고객들에게 경쟁력 있는 최첨단 기술을 제시하게 되었다. 이를 계기로 이 분야의 진보적인 연구를 지향하는 기업체들과의 다양한 컨소시엄을 통해 더욱 기술 협력을 강화할 것"이라고 덧붙였다.

한편 아이멕의 스마트 시스템과 에너지 기술 사업부 부사장인 루디 카투이벨스(Rudi Cartuyvels)는 “당사는 질화갈륨 온 실리콘 제휴 프로그램을 통해 눈에 띄는 성과를 이뤘으며 나아가 생산 비용을 대폭 절감할 수 있는 길을 확보했다. 뿐만 아니라 전략적 프로그램 파트너인 온세미컨덕터를 통해 이 분야의 전문성을 진일보시킬 수 있게 됐다. 이러한 협력으로 당사는 대량 생산 시 발생하는 비용 문제를 극복해 궁극적으로 질화 갈륨 파워 소자를 시장에 출시하게 됐다”고 밝혔다.