하이닉스반도체 세계 최고속 ECC 모바일 D램 개발

2007년 03월 15일

이 제품은 동작시 오류 검출 및 정정 기능을 자체적으로 구현하면서도 업계 최고 수준인 최대 185MHz로 동작하며, 소비 전력을 절반 수준으로 줄인 것이 가장 큰 특징이다. 또한 32개의 I/O를 통하여 최대 초당 1.46GByte의 데이터를 처리할 수 있다.

이번에 개발된 185MHz 512Mb 모바일 D램은 80나노 공정 기술을 이용하여 휴대용 전자기기에 적합하도록 초소형으로 제작되었으며, 전력 소모를 줄이는 TCSR(온도에 따라 충전 속도 조절), PASR(대기시 데이터가 있는 부분만 충전), DPD(사용 중단시 D램 작동 차단) 등 전통적인 모바일 D램의 기능들도 포함되어 있다.

이처럼 기존 모바일 D램에 비해 소비 전력을 대폭 줄인 반면 제품의 신뢰성은 크게 향상되었고 동작 속도 또한 최고 수준이어서 모바일 D램 시장에서 차별화된 경쟁력을 가질 것으로 보인다.

최근 휴대용 전자제품의 사양이 점점 높아지면서 모바일 D램의 용량도 크게 증가하여 전원으로 배터리를 사용하는 모바일 기기에서 고용량 모바일 D램을 사용할 때의 전력 소모량이 문제가 되고 있다.

하이닉스반도체 모바일 사업담당 김용탁 상무는 “이번에 개발된 제품은 낸드 플래시의 ECC 개념을 모바일 D램에 도입하여 소비 전력을 크게 줄였기 때문에 고용량 D램의 높은 소비 전력을 우려하는 휴대용 정보기기 개발 업체의 고민을 덜어 줄 수 있을 것”이라고 설명했다.

이 제품은 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 규격을 만족하여 개발되어 기존 모바일 D램 제품을 쉽게 대체하여 사용할 수 있다.

하이닉스반도체는 이 제품의 양산을 올해 하반기에 시작하며, 낸드 플래시와 D램을 하나의 칩으로 만든 ‘낸드 멀티칩 패키지(MCP)’와 패키지 위에 패키지를 얹는 ‘패키지 온 패키지(PoP)’ 에도 사용하여 제품군을 더욱 다양화할 예정이다.

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