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EPC의 DC-DC 컨버터 핸드북은 GaN 전력 트랜지스터를 사용하는 데이터 통신 장비는 물론, 다른 전력변환 애플리케이션에서 어떻게 향상된 효율 및 전력 밀도를 달성할 수 있는지 알려준다.

정보에 대한 수요는 전례없이 빠르게 증가하고 있으며, 통신, 컴퓨팅, 다운로딩에 대한 끊임없는 사회적 욕구는 이러한 수요를 더욱 가속화시키고 있다. 클라우드 컴퓨팅 및 IoT(Internet of Things)와 같은 최신 기술을 통해, 300시간에 달하는 비디오가 매 1분마다 유투브를 통해 다운로드되고 있으며, 보다 빠르고 보다 많은 정보에 액세스하고자 하는 이러한 흐름은 계속될 것으로 보인다. EPC(Efficient Power Conversion Corporation)는 이러한 흐름에 부합하기 위해 실용적인 엔지니어링 핸드북인 – ‘DC-DC 컨버터: 효율적인 전력변환을 위한 GaN 트랜지스터’을 출간했다.

이 책은 컴퓨팅 전력의 신속한 개선 및 효율적인 데이터 센터에 대한 요구에 부합할 수 있도록 전력변환 시스템을 지속적으로 향상시킬 수 있는 방안을 제시하고 있다. 고성능 GaN 기술 적용에 중점을 둔 이 DC-DC 핸드북은 GaN 디바이스를 이용해 전력변환 솔루션을 개발할 수 있는 방안을 단계별로 분석해 주고 있다. 이러한 분석을 통해 전통적으로 전력변환 시스템에 사용되어 왔던 최신 실리콘 전력 트랜지스터와의 직접적인 성능 비교가 가능하다.

이 책은 전력변환 시스템 설계자들의 논고와 뛰어난 성능의 GaN 기술의 결합으로, 고주파수 스위칭으로 달성할 수 있는 향상된 전력밀도를 보여주는 GaN의 탁월한 성능 이점을 활용한 새로운 전력공급 아키텍처를 소개하고 있다.

‘DC-DC 컨버터: 효율적인 전력변환을 위한 GaN 트랜지스터’는 현재 39.95 달러에 판매되고 있으며, 디지키(Digi-Key, www.digikey.com), 또는 아마존(Amazon.com)을 통해 구매할 수 있다.

저자소개
저자인 데이비드 로이쉬(David Reusch) 박사는 EPC의 애플리케이션 엔지니어링 디렉터로, 미국 버지니아 공과대학(Virginia Tech)에서 2012년에 박사학위를 취득했다. 그는 박사학위를 취득하는 중에 CPES(Center for Power Electronics Systems)의 Bradley Fellow로 활동했다. 로이쉬 박사는 전력 컨버터의 낮은 전력손실 및 높은 전력밀도에 대한 요구에 부합하기 위해 직접 GaN 트랜지스터를 설계했다. 그는 IEEE(Institute for Electrical and Electronic Engineers)의 멤버이자, 25개의 저서를 출간했으며, 미국 특허를 취득했고, ‘효율적인 전력변환을 위한 GaN 트랜지터’ 두 번째 에디션의 공동저자이기도 하다.

존 글레이저(John Glaser) 박사는 일리노이 대학교에서 BSEE를, 아리조나 대학교에서 전기 엔지니어링 석사학위를 취득했다. 그는 모토로라에서 모바일 RF 전력 증폭기를 개발했으며, 휴즈 미사일 시스템(Hughes Missile Systems Co.)의 TWT 증폭기를 위한 고전압 DC-DC 컨버터 개발에 참여했다. 또한 글레이저 박사는 GE 글로벌 리서치(General Electric Global Research)에서 램프 드라이버에서 MRI까지 다양한 애플리케이션을 위한 고성능 스위치-모드 전력 컨버터 및 VHF 증폭기, 유도가열, 전자식 안정기, 마그네틱 등을 개발했다. 그는 현재 EPC의 애플리케이션 엔지니어링 디렉터로 활동하고 있으며, GaN 전력 트랜지스터의 이점을 극대화할 수 있는 애플리케이션, 회로, 방법론 등을 개발하고 있다. 글레이저 박사는 25편 이상의 저서를 출간했으며, 29개의 미국 특허를 취득했고, 현재 다수의 특허를 출원 중이다. 글레이저 박사는 IEE(Institute for Electrical and Electronic Engineers)의 시니어 멤버이다.

EPC 소개
EPC는 향상된 방식의 질화 갈륨 기반 전력관리 디바이스 분야의 선도적인 공급업체이다. EPC는 DC-DC 컨버터 및 무선 전력 전송, 인벨롭 트래킹, RF 전송, 전력 인버터, 원격 센싱 기술(LiDAR), 클래스-D 오디오 증폭기와 같은 애플리케이션에서 파워 MOSFET을 대체하는 eGaN(enhancement-mode Gallium-Nitride-on-silicon) FET를 최초로 도입했으며, 최상의 실리콘 파워 MOSFET 보다 수배이상 뛰어난 디바이스 성능을 갖추고 있다. 웹사이트: www.epc-co.com

eGaN은 Efficient Power Conversion Corporation의 등록된 상표입니다.