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2MHz 이상에서 동작하는 초고속, 소형의 하프 브리지 솔루션

EPC2106 GaN 파워 트랜지스터는 AM 밴드에서 간섭없이 2MHz 이상으로 스위칭하는 솔루션으로, 필터링 비용을 절감할 수 있고, 저왜곡 클래스-D 오디오에 이상적이다.

EPC는 인핸스먼트-모드(Enhancement-Mode) 모놀리식 GaN 트랜지스터 하프 브리지인 EPC2106을 발표했다. 두 개의 eGAN® 파워 FET를 단일 디바이스로 통합함으로써 PCB 상에서 요구되는 사이 공간이나 인터커넥트 인덕턴스를 제거할 수 있다. 이는 효율(특히 높은 주파수에서) 및 전력밀도를 모두 증대시키면서도, 엔드 유저의 전력변환 시스템의 어셈블리 비용을 절감시켜준다.

EPC2106 하프-브리지 컴포넌트는 최대 18A의 펄스 드레인 전류, 제로 역회복 시간(QRR), 600pF 미만의 출력 커패시턴스, 그리고 55mΩ의 RDS(on)에서 100V의 전압등급을 갖추고 있다. GaN의 낮은 온-저항과 커패시턴스는 클래스-D 시스템에서 효율을 높여주고, 왜곡을 획기적으로 감소시켜준다. EPC2106은 전력밀도를 높이고, 스위칭 속도 및 열 성능을 향상시키기 위해 매우 작은 1.35mm x 1.35mm 칩 스케일 패키지로 제공된다.

차별화를 실현하는 GaN
GaN의 낮은 온-저항과 커패시턴스는 클래스-D 시스템에서 효율을 높여주고, 왜곡을 획기적으로 감소시켜준다. 이를 시연하기 위해 EPC9106 클래스-D 오디오 앰프 레퍼런스 디자인은 파워 스테이지에 클래스-D 오디오 신호의 정밀한 고출력 재현을 제공하는 고주파수 스위칭 GaN 파워 트랜지스터를 사용했다. 이 시스템은 고효율과 사이즈 감소를 달성했으며, 히크싱크를 사용할 필요가 없이 전문가 수준의 고품질 사운드를 제공한다. GaN 기반 클래스-D 오디오 시스템의 데모는 http://youtu.be/AokgH9AO9eA?t=22m3s에서 확인할 수 있다.

시장출시 시간을 단축시키는 개발 보드
EPC9055 보드는 2인치 x 1.5인치 크기로, TI(Texas Instruments)의 LM5113 게이트 드라이버와 서플라이 및 바이패스 커패시터, 그리고 하나의 EPC2106 통합 하프 브리지 컴포넌트로 구성되어 있다. 이 보드는 모든 중요 부품들을 포함하고 있으며, 디자이너들이 GaN을 통해 시스템에 제공할 수 있는 혜택을 신속하게 평가할 수 있도록 해주는 최적의 스위칭 성능에 맞게 구성되어 있다.

가격 및 공급시기
EPC2106 모놀리식 하프-브리지는 1천개 기준 0.81 달러이며, EPC9055 개발 보드는 137.75 달러에 공급된다. 제품은 현재 디지키(Digi-Key) http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en에서 즉시 구매 가능하다.

eGaN FET에 대한 디자인 정보 및 지원
• EPC2106 데이터시트 다운로드: epc-co.com/epc/Products.aspx
• EPC9055 퀵스타트 가이드 다운로드: epc-co.com/epc/Products/DemoBoards
• EPC의 클래스-D 오디오 앰프 데모보기: youtu.be/AokgH9AO9eA?t=22m3s

EPC 소개
EPC는 향상된 방식의 질화 갈륨 기반 전력관리 디바이스 분야의 선도적인 공급업체이다. EPC는 DC-DC 컨버터 및 무선 전력 전송, 인벨롭 트래킹, RF 전송, 전력 인버터, 원격 센싱 기술(LiDAR), 클래스-D 오디오 증폭기와 같은 애플리케이션에서 파워 MOSFET을 대체하는 eGaN(enhancement-mode Gallium-Nitride-on-silicon) FET를 최초로 도입했으며, 최상의 실리콘 파워 MOSFET 보다 수배이상 뛰어난 디바이스 성능을 갖추고 있다. 웹사이트: www.epc-co.com