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반도체 및 첨단 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 처리 솔루션 기업 ACM 리서치(ACM Research, 이하 ACM)가 자사의 하이브리드 세정 장비인 '울트라 C 타호(Ultra C Tahoe)'를 멀티 프로세스 습식 공정 플랫폼으로 전격 확장했다고 발표했다. 배치(Batch) 공정과 싱글 웨이퍼(Single-wafer) 공정을 단일 아키텍처로 통합한 이번 플랫폼 확장을 통해, 메모리 및 로직 반도체 제조사들은 단일 장비에서 한층 넓은 범위의 첨단 세정·식각 공정을 구현할 수 있게 되었다. 이미 복수의 글로벌 반도체 제조사 양산 라인에 채택되어 차세대 반도체 공정 적합성과 생산성을 입증했다.

배치-싱글 하이브리드 구조로 공정 효율성 극대화 및 모니터 웨이퍼 리클레임 지원

Ultra C Tahoe 플랫폼은 배치 공정의 화학물질 절감 능력과 싱글 웨이퍼 공정의 높은 파티클 제거 효율 및 교차 오염 방지 기능을 결합한 하이브리드 아키텍처를 자랑한다. 이번 확장에서는 벤치 질소(N₂) 버블링 기술을 추가해 실리콘 질화막(SiN) 리세스 식각, 폴리실리콘 에치백, 텅스텐 및 실리콘-게르마늄(SiGe) 리세스 식각 등 고난도 공정을 통합 지원한다. 특히 첨단 노드 공정을 위한 '리사이클 모니터 웨이퍼 리클레임(Recycle Monitor Wafer Reclaim)' 기능이 새롭게 탑재되어 막 제거, 세정, 건조를 단일 플랫폼에서 완수하고 장비 간 이송 시간을 획기적으로 줄여 사이클 타임을 단축시켰다.

파티클 억제 성능 향상 및 황산 사용량 75% 감소로 친환경 ESG 경영 기여

수율 향상을 위한 파티클 및 금속 오염 제어 성능도 크게 개선되었다. Ultra C Tahoe는 26nm 기준 평균 6개 미만의 파티클 수를 기록하고, 표면 금속 오염도를 1×10⁹ atoms/cm² 미만으로 유지하는 정밀도를 달성했다. 또한 배치 세정 아키텍처를 활용해 황산 사용량을 기존 대비 최대 75% 절감함으로써 대량 생산 시 화학 폐기물 발생과 제조 원가를 동시에 낮추었다. 데이비드 왕(David Wang) ACM 회장 겸 CEO는 "Tahoe 플랫폼의 멀티 프로세스 확장은 ACM 하이브리드 아키텍처의 다용성과 확장성을 증명한다"라며 "공정 성능 향상은 물론 친환경성을 강화해 글로벌 반도체 제조사들의 ESG 목표 달성을 적극 지원하겠다"라고 밝혔다.