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효율적이고 높은 전력밀도의 효율적인 데이터센터 구현을 지원하는 TI의 새로운TPS1685 핫스왑 eFuse 

산업 분야 전반에 걸쳐 전기화로의 전환이 가속화되면서 전원공급장치의 효율성에 대한 요구가 그 어느때보다 높아지고 있다. 특히 고성능 컴퓨팅 및 AI를 활용한 최신 데이터센터는 기존보다 최대 10배 가량의 전력이 소비되고 있다. 이러한 증가하는 전력소모에 대응하여 고도의 전력 설계를 달성하기 위해서는 반도체 자체의 효율성뿐만 아니라 아키텍처 전반에 걸쳐 창의적인 접근방식이 필요하다. 

텍사스 인스트루먼트(TI)는 업계 최초의 48V 통합 핫스왑 eFuse인 새로운 TPS1685를 통해 이러한 문제를 해결할 수 있도록 지원한다. 이 전력관리 디바이스는 데이터센터의 하드웨어 및 처리 성능을 지원하는 전원 경로 보호 기능을 갖추고 있으며, 전력밀도 및 효율성을 극대화할 수 있다. 

또한, TI는 데이터센터 설계를 간소화하기 위해 업계 표준 트랜지스터 아웃라인 무연(이하 ‘TOLL’) 패키지로 제공되는 새로운 통합 질화갈륨(GaN) 전력계 제품군인 LMG3650R035, LMG3650R025, LMG3650R070을 함께 출시했다.

TI 전원 스위치 제품 마케팅 매니저인 프리얀크 캐커 (Priyank Kacker)는 “데이터센터가 점점 더 많은 에너지를 요구하게 되면서, 전세계 디지털 인프라를 위한 전력 공급은 더욱 스마트하고 효율적인 반도체를 구현하는 데서부터 출발한다.”며, “첨단 칩이 AI의 연산 능력을 주도하는 반면, 아날로그 반도체는 에너지 효율을 극대화하는데 핵심적인 역할을 한다. TI가 전력 관리 부문에서 달성한 혁신 기술은 데이터센터의 탄소발자국을 줄이면서, 현재 디지털 세계의 늘어나는 요구사항을 지원할 수 있다.”라고 말했다. 

전력 수요가 급증함에 따라, 데이터센터 설계 엔지니어들은 효율성과 확장성을 높이기 위해  48V 전력 아키텍처로 전환하고 있는데 이는 CPU, 그래픽 처리 장치(GPU) 및 AI 하드웨어 가속기 등의 부품을 지원하기 위한 것이다. TI의 48V 스택형 통합 핫스왑 eFuse는 전력 경로 보호 기능을 갖추고 있어서 엔지니어들이 시중에 있는 기존 핫스왑 컨트롤러에 비해 설계를 간소화하고 솔루션 크기를 절반으로 줄이면서 6kW 이상의 고전력 처리 요건을 해결할 수 있도록 지원한다. 

TI는 새로운 통합 GaN 전력계 제품군은 업계 표준 TOLL 패키지로 제공되어 엔지니어가 비용과 시간을 들여 재설계할 필요 없이 TI GaN의 효율성을 손쉽게 활용할 수 있도록 한다. 새로운 전력계는 고성능 게이트 드라이버를 650V GaN FET와 통합하여 98% 이상의 높은 효율과 높은 전력 밀도(>100W/in3)를 달성하며, 과전류 보호, 단락 보호 및 과열 보호와 같은 고급 보호 기능도 함께 통합되어 있다. 이는 더 작은 공간에 더 많은 전력을 공급해야 하는 서버 전원과 같은 AC/DC 애플리케이션에 특히 중요하다.