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ACM 리서치(ACM Research, Inc.)는 자사의 Ultra Fn A 플라즈마 강화 원자층 증착(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition, PEALD) 퍼니스 장비가 중국 본토 소재 반도체 제조 고객사의 공정 적격성 인증(process qualification, PQ)을 완료했으며, 현재 양산에 진입했다고 발표했다. ACM은 또한 2022년에 출시한 Ultra Fn A 열 원자층 증착(Thermal ALD) 퍼니스 장비가 또 다른 중국 본토 주요 고객사에서 공정 인증을 성공적으로 완료했으며, 경쟁 장비를 능가하거나 동등한 성능을 입증했다고 밝혔다. 

ACM 리서치의 사장 겸 CEO인 데이비드 왕(Dr. David Wang) 박사는 “현대의 첨단 집적 회로(IC) 제조는 뛰어난 스텝 커버리지(step coverage)와 우수한 품질을 갖춘 초박막 필름 증착에 점점 더 의존하고 있다”며 “실리콘 탄소 질화물(SiCB) 박막, 실리콘 질화(SiN) 박막 및 저유전율(low-k) 박막과 같은 물질을 증착하는 데 있어 복잡성을 해결하려면 진정한 혁신이 필요하며, ACM의 연구개발팀은 우리의 ALD 플랫폼과 공정을 통해 이를 실현했다. ACM의 독자적인 설계는 다른 공급업체들과 차별화되어 있으며, 첨단 3D 구조 제작에서 직면하는 과제를 해결할 수 있게 해준다고 믿는다”고 말했다. 

ACM의 Ultra Fn A 퍼니스 ALD 제품은 열 ALD 및 PEALD 두 가지 타입 모두 경성 마스크, 배리어, 스페이서, 측벽 보호층과 같은 다양한 박막 증착 작업을 수행할 수 있어 대상 공정 애플리케이션의 다양한 요구 사항을 지원한다. 두 구성 모두 300mm 웨이퍼를 100개 이상 배치(batch) 처리할 수 있는 6-조 시스템이 특징이다. 또한, 장비에는 로딩 영역에서 산소 농도를 제어하는 4개의 로드포트(loadport) 시스템, 통합 가스 공급 시스템(Integrated Gas Supply system, IGS), 그리고 in-situ 건식 세정 기능을 포함하고 있으며, 모두 반도체 제조장비 재료 협회(SEMI) 표준을 충족하도록 설계되었다. 

Ultra Fn A PEALD 장비

ACM의 Ultra Fn A PEALD 장비는 초박막 실리콘 질화물(SiN) 박막 증착을 위해 설계되었다. 이 장비는 이중 층 튜브와 공기 흐름 균형 기술을 갖추고 있어 웨이퍼 내 균일도(wafer-in-wafer, WIW)와 웨이퍼 간 균일도(wafer-to-wafer, WTW) 두 가지 모두를 크게 향상시킨다. 플라즈마 강화 기술을 활용하면 장비의 열 예산을 효과적으로 줄일 수 있다. 뿐만 아니라, 반응 튜브 내 전구체 저장 및 방출량을 정밀 조정함으로써 디바이스의 중요한 치수와 패턴 프로파일을 정확하게 제어할 수 있다. 

Ultra Fn A 열 ALD 장비

ACM의 Ultra Fn A 열 ALD 장비는 실리콘 탄소 질화물(SiCN) 박막 증착에 대해 인증을 받았다. 이 장비는 초박막, 빈틈 없는(void-free) 박막 증착을 가능하게 하며, 박막의 두께를 원자 수준으로 정밀하게 제어할 수 있다. 또한, 탄소 도핑을 정확히 제어하여 박막의 경도를 강화하고 부식에 대한 내성을 향상시킨다. 이와 함께, 박막의 누적 두께가 낮은 경우에도 입자 안정성을 유지하기 위해 in-situ 건식 세정 단계를 포함하고 있다.