반도체 전문 온라인 매거진 - 올포칩

삼성전자가 차세대 고속 D램인 「DDR400」에 대한 인텔의 공식 인증을 획득했다. DDR400의 데이터 처리 속도는 범용인 DDR266 보다 50% 이상 향상된 것으로, 삼성전자가 지난해 3월에 메모리업계 최초로 개발했고, 동년 7월 美 San Jose에서 개최된 「플랫폼 컨퍼런스」에서는 시스템 시연도 한 바 있다. 이번 인증 대상은 △256메가 단품 2종 △256메가바이트 모듈 2종 △512메가바이트 모듈 3종 등 총 7개 품목이며, 이로써 삼성전자는 지금까지 DDR에 대한 인텔社 인증만 99개 확보하게 됐다. 인텔은 펜티엄4의 동작속도를 3GHz 이상으로 고속화하기 위해 시스템버스의 속도를 800MHz 이상으로 향상시키고자 하는데, DDR400이 이를 최적화할 수 있으며, 이번 인증을 통해 인텔은 03년의 주력제품으로써 DDR400을 선택했다고 분석할 수 있다. 삼성전자는 DDR400의 시장확대를 위해『스프링데일 칩셋 (Springdale Chipset)』을 채택할 주요 PC 업체들에게 이미 DDR400 샘플전달도 완료했다. 적용된 미세회로 공정은 0.13미크론(㎛). 표준화 측면에서도 작년 12월 JEDEC(세계반도체표준협회)에 제안한 삼성전자의 표준안이 오는 3월 세계의 기술표준 으로 확정될 것으로 예상된다. 인텔의 수석 부사장(Senior Fellow)인 피트 맥윌리암스는 "2003년에는 DDR400이 데스크탑 및 워크스테이션의 최첨단 펜티엄4 프로세서를 완벽히 지원할 것으로 확신하며, 삼성이 인텔의 로드맵을 지원하게 되어 매우 만족한다" 라고 말했다. 이번 삼성전자의 DDR400 인증은 초고속 D램시장을 앞당기며, 최근 가격 하락세를 보이고 있는 D램 시장의 회복에도 청신호가 될 것으로 전망된다. 삼성전자는 내년에 533Mbps 이상의 동작속도를 구현하는 DDR-II 제품도 출시하며, 세계 D램시장의 리더십을 더욱 견고히 할 계획이다.