반도체 전문 온라인 매거진 - 올포칩

최근 지속 가능한 사회의 실현을 위해, 민생기기 및 산업기기의 전원에는 저전력화가 요구되고 있다. GaN HEMT는 전력 변환 효율 향상 및 장치의 소형화에 크게 기여하는 디바이스로서 주목받고 있지만, Si MOSFET에 비해 게이트의 취급이 어려워 게이트 구동용 드라이버와 세트로 사용해야 했다. 

로옴은 이러한 시장 배경에 대응하여, 파워와 아날로그의 2가지 코어 기술을 융합함으로써 파워 반도체인 GaN HEMT와 아날로그 반도체인 게이트 구동용 드라이버를 단일 패키지에 집적한 파워 스테이지 IC를 개발했다. 이에 따라, 차세대 파워 반도체 GaN 디바이스의 실장이 용이해졌다. 

로옴의 파워 스테이지 IC BM3G0xxMUV-LB는 데이터 서버 등의 산업기기, AC 어댑터 등의 민생기기에서 사용되는 1차 전원용으로 650V GaN HEMT 및 게이트 구동용 드라이버 등을 단일 패키지에 탑재하고 있다. 

신제품은 차세대 파워 디바이스인 650V GaN HEMT와 GaN HEMT의 퍼포먼스를 최대화시키기 위해 최적화된 전용 게이트 구동용 드라이버 및 추가 기능, 주변 부품을 단일 패키지에 통합했다. 또한 폭넓은 구동전압 범위 (2.5V~30V) 등, 1차 전원의 모든 컨트롤러 IC에 대응 가능한 성능을 구비하여, 기존의 실리콘 MOSFET 대체 사용이 용이하다. 이에 따라, 실리콘 MOSFET에 비해 부품 체적을 약 99％, 전력 손실을 약 55％ 줄일 수 있어, 저손실화와 소형화를 동시에 실현할 수 있다.