로옴의 SiC MOSFET 및 SiC SBD, 에이펙스의 산업기기용 파워 모듈에 채택
2023년 03월 21일
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로옴(ROHM)의 SiC MOSFET 및 SiC 쇼트키 배리어 다이오드(이하, SiC SBD)가 하이파워 아날로그 모듈 메이커인 에이펙스 마이크로테크놀로지(Apex Microtechnology)의 파워 모듈 시리즈에 채택되었다. 이 파워 모듈 시리즈에는, 고내압 3상 DC 모터의 구동에 최적인 드라이버 모듈 SA310 및 폭넓은 고전압 애플리케이션에 최적화된 하프-브리지 모듈 SA110 및 SA111의 2개 제품이 포함되어 있다.


로옴의 1,200V SiC MOSFET S4101 및 650V SiC SBD S6203은 베어 칩으로 공급되어 애플리케이션의 소형화 및 모듈의 성능, 신뢰성 향상에 기여한다. 또한 에이펙스 테크놀로지 의 파워 모듈 시리즈에는 로옴의 게이트 드라이버 IC인 BM60212FV-C도 베어 칩으로 탑재되어 있어 고내압 모터나 전원의 고효율 동작에 기여한다. 에이펙스가 조사한 바에 따르면, 이러한 중요 부품을 베어 칩으로 구성함으로써 디스크리트 부품 구성 대비 67%의 실장 면적 삭감된 것을 나타났다.


탈탄소 사회의 실현을 위해, 전 세계 전력 소비량의 대부분을 차지하는 전원 및 모터의 효율 개선은 전 세계적인 사회 과제로 중요시되고 있다. 이러한 효율 개선의 열쇠가 파워 디바이스이며, 각종 전원의 한차원 높은 고효율화를 위해 SiC 및 GaN 등 신재료의 활용이 주목받고 있다. 로옴과 에이펙스 마이크로테크놀로지는 파워와 아날로그에 강점을 지닌 기업으로서 기술 교류를 실시하고 협력 관계를 구축해 왔다. 앞으로도 로옴의 SiC 파워 디바이스 및 제어 기술과, 이를 최적으로 조합하는 에이펙스 마이크로테크놀로지의 모듈 기술을 융합함으로써 시장 요구에 대응하는 최적의 파워 솔루션을 제공하여, 산업기기의 고효율화에 기여해 나갈 것이다.

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