EPC, 새로운 자동차 등급 GaN FET를 통해 고분해능 라이다 시스템 설계 지원
2023년 01월 30일
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EPC는 자동차 등급 라이다 시스템과 48V – 12V DC-DC 변환 및 낮은 인덕턴스의 모터 드라이브 설계에서 실리콘 MOSFET보다 훨씬 작고 효율적인 솔루션을 제공하는 80V, AEC-Q101-인증 EPC2252 GaN FET를 출시했다. 



세계적인 인핸스먼트 모드 질화갈륨(eGaN®) FET 및 IC 분야의 선도 기업인 EPC(Efficient Power Conversion Corporation)는 1.5mm x 1.5mm 풋프린트로 75A 펄스 전류를 제공하는 80V, 11mΩ EPC2252 를 출시하고, 자동차 등급 상용 질화갈륨 트랜지스터 제품군을 확장한다고 밝혔다. EPC2252는 전력 시스템 설계자를 위해 자율주행 및 기타 ADAS 애플리케이션에 적용되는 자동차 등급 라이다 시스템과 48V – 12V DC-DC 변환 및 낮은 인덕턴스의 모터 드라이브 설계에서 실리콘 MOSFET보다 훨씬 더 작고, 효율적인 디바이스를 제공한다. 


이 디바이스는 더 낮은 스위칭 손실과 낮은 전도 손실, 제로 역복구 손실 및 더 낮은 드라이브 전력으로 고효율의 고주파수 설계를 지원한다. 매우 작은 풋프린트와 결합된 이러한 기능을 통해 최첨단 전력밀도를 달성할 수 있다. 


GaN의 빠른 스위칭 속도와 나노초 미만의  전환 속도 및 3ns 미만의 고전류 펄스 생성 기능은 자율주행, 자율주차 및 충돌방지 등을 위한 라이다 시스템에서 더 긴 범위와 높은 분해능을 제공한다. 


EPC의 공동 설립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “EPC2252는 자동차용 라이다 시스템과 낮은 인덕턴스의 모터, 48V DC-DC 변환 애플리케이션에 이상적인 스위치다.”며, “EPC는 고효율, 저비용의 차량 전기화 및 자율주행을 지원하는 디바이스 제품군을 확대하여 자동차 시장에 주력하고 있다.”고 밝혔다.


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