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온세미는 DC 스트링 옵티마이저 제품에 대한 높은 수요를 충족시키기 위해 Ampt와의 협업을 발표했다. Ampt는 세계 최고의 대규모 태양광(photovoltaic, PV) 및 에너지 저장 시스템용 DC에 최적화된 회사다. Ampt는 실리콘 카바이드(SiC) 기술의 엘리트 실리콘 카바이드(EliteSiC) 제품군 중 일부인 온세미의 N-채널(Channel) SiC MOSFET을 중요한 전력 스위칭 애플리케이션을 위한 DC 스트링 옵티마이저에 사용한다. 

Ampt 스트링 옵티마이저는 대규모 PV 발전소에서 사용되어, 태양열 발전소(solar power plant) 내에 배치된 저비용, 고성능의 태양열 및 DC 결합 에너지 저장 시스템을 사용 가능하게 한다. 스트링 옵티마이저는 600~1500VDC 범위의 시스템 전압에 대해 높은 고정 전압으로 PV 어레이에서 전력을 공급해 전체 전류 요구 사항과 발전소 비용을 줄인다. Ampt 옵티마이저는 ON 저항과 스위칭 손실이 가장 낮은 온세미의 최신 SiC MOSEFT 기술을 활용하여 에너지 저장 시스템과 태양열 발전소에서 더 높은 충전 및 방전 효율을 가능하게 한다. 

Ampt의 CEO 레벤트 건(Levent Gun)은 “온세미의 EliteSiC 기술을 DC 옵티마이저에 통합하는 것은 유틸리티 규모의 태양열 개발자 및 소유자가 프로젝트 경제성을 개선하는 데 도움이 된다. 우리에게 제품 성능이 중요한 결정 부분이었지만, 설계 단계에서 온세미의 기술 지원과 Ampt의 빠른 확장 지원을 위한 온세미의 지속적인 공급 보장도 강력한 파트너가 된 특징이라고 할 수 있다"고 말했다. 

EliteSiC 디바이스는 80mΩ 명목(nominally)의 R_DS(on), 1.7Ω의 낮은 Rg와 함께 56nC의 낮은 게이트 전하(gate charge, Qg) 값을 제공한다. 또한 이는 175°C의 접합 온도에서 작동할 수 있어 애플리케이션의 열 관리 요구 사항을 줄이고 더 작고 저렴한 솔루션을 제공한다.

온세미 파워 솔루션 그룹(Power Solutions Group)의 부사장 겸 총괄인 사이먼 키튼(Simon Keeton)은 “EliteSiC 기술의 성능과 신뢰성의 조합은 효율적이고 신뢰할 수 있는 DC 옵티마이저를 가능하게 한다. 이는 Ampt와 같은 업계 선두가 기대하는 바이기도 하다. 온세미는 지속 가능한 생태계로의 여정에서 재생 가능 에너지 응용을 이끄는 신제품에 대한 지속적인 협력을 기대한다”고 말했다.