EPC, 우주 애플리케이션을 위한 고밀도/고효율 방사선 경화 GaN 트랜지스터 출시
2022년 07월 04일
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EPC(Efficient Power Conversion)는 중요한 우주 임무 및 기타 고신뢰성 환경의 전력변환 솔루션을 위해 5번째 방사선 경화(Radiation-Hardened) 디바이스를 추가하고, 방사선 경화 GaN(Gallium Nitride) 제품군을 확장했다. 



EPC는 방사선 경화(Radiation-Hardened) GaN FET인 EPC7004를 출시했다고 밝혔다. EPC7004는 100V, 7mΩ, 160APulsed, 방사선 경화 GaN FET로 소형의 6.56 mm2 풋프린트로 제공된다. EPC7004는 1Mrad 이상의 총 방사선 선량 등급과 85MeV/(mg/cm2)의 LET에 대한 SEE 내성을 갖추고 있다. EPC7004는 다른 방사선 경화 제품인 EPC7014, EPC7007, EPC7019, EPC7018과 함께 상업용 eGaN FET 및 IC 제품군과 동일한 칩 스케일 패키지로 제공된다. 패키지 버전에 대한 자세한 정보는 EPC Space에서 확인할 수 있다. 


더 높은 절연 파괴강도와 더 낮은 게이트 전하 및 스위칭 손실, 뛰어난 열 전도성 및 매우 낮은 온저항을 갖춘 GaN 기반 전력 디바이스는 실리콘 기반 디바이스에 비해 성능이 매우 뛰어나며, 더 높은 스위칭 주파수를 통해 중요한 우주 임무에 필요한 더 높은 전력밀도와 더 높은 효율성, 그리고 더 작고 가벼운 회로를 제공한다. 또한 GaN 디바이스는 실리콘 솔루션보다 더 높은 총 방사선 레벨과 SEE LET 레벨을 지원한다.


EPC7004는 40V에서 200V 범위의 방사선 경화 제품군 중 하나로, 우주 애플리케이션과 위성 및 항공전자 분야의 이온 추진엔진을 비롯해 DC-DC 전원, 모터 드라이브, 라이다 및 딥 프로브 등의 애플리케이션에 상당한 전기 및 방사선 성능 이점을 제공한다. 


EPC의 공동 설립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “100V EPC7018 및 EPC7004는 초저 온저항과 함께 크기 및 전력 간의 다양한 절충안을 제공함으로써 설계자들이 이전보다 더 높은 주파수와 효율 및 탁월한 전력밀도로 우주 애플리케이션을 위한 차세대 전력 변환 및 모터 드라이브를 구현할 수 있도록 해준다.”고 밝혔다.


EPC7004는 엔지니어링 샘플이 공급되고 있으며, 2022년 12월에 검증이 완료된 양산 제품이 출하될 예정이다. 

그래픽 / 영상
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