EPC, 우주 애플리케이션을 위한 가장 낮은 온저항을 가진 방사선 경화 100V GaN 트랜지스터 출시

2022년 06월 20일

EPC(Efficient Power Conversion)는 중요한 우주 비행 및 기타 고신뢰성 환경의 전력변환 솔루션을 위해 현재 시장에 공급되는 100V 방사선 경화(Radiation-Hardened) 트랜지스터 중 가장 낮은 온저항을 갖는 100V 디바이스를 출시하고, 방사선 경화 GaN(Gallium Nitride) 제품군을 확장했다.

EPC는 EPC7018 방사선 경화(Radiation-Hardened) GaN FET를 출시했다고 밝혔다. EPC7018은 13.9mm²의 소형 풋프린트로 제공되는 100V, 3.9mΩ, 345AP_ulsed의 방사선 경화 GaN FET이다. EPC7018은 1Mrad 이상의 총 방사선 선량 등급과 85MeV/(mg/cm²)의 LET에 대한 SEE 내성을 가지고 있다. 다른 방사선 경화 제품군인 EPC7014, EPC7007, EPC7019와 함께 EPC7018은 상업용 eGaN FET 및 IC 제품군과 동일한 칩 스케일 패키지로 제공된다. 패키지 버전은 EPC Space에서 확인할 수 있다.

더 높은 절연 파괴강도와 더 낮은 게이트 전하 및 스위칭 손실, 뛰어난 열 전도성 및 매우 낮은 온저항을 갖춘 GaN 기반 전력 디바이스는 실리콘 기반 디바이스에 비해 성능이 매우 뛰어나며, 더 높은 스위칭 주파수를 가능하게 함으로써 중요한 우주 비행 임무에 필요한 더 높은 전력밀도와 더 높은 효율성, 그리고 더 작고 가벼운 회로를 제공한다. 또한 GaN 디바이스는 실리콘 솔루션보다 더 높은 총 방사선 레벨과 SEE LET 레벨을 지원한다.

EPC7018의 성능과 빠른 구축의 이점을 활용할 수 있는 애플리케이션으로는 우주 애플리케이션과 위성 및 항공 전자장치를 위한 DC-DC 전력 및 모터 드라이브, 라이다, 딥 프로브 및 이온 추진기 등이 있다.

EPC의 공동 설립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “EPC7018은 설계자들에게 고전력 및 초저 온저항 디바이스를 제공함으로써 이전보다 더 높은 주파수와 더 높은 효율 및 탁월한 전력밀도로 우주에서 동작하는 차세대 전력 변환 및 모터 드라이브를 실현할 수 있다.”고 밝혔다.

EPC7018은 현재 엔지니어링 샘플이 공급되고 있으며, 2022년 12월, 검증이 완료된 양산 제품이 출하될 예정이다.

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