EPC, 최첨단 전력밀도를 제공하는 최소형 40V, 1.1mΩ FET 출시
2022년 05월 30일
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EPC는 공간이 제한된 고성능 애플리케이션을 위해 실리콘 MOSFET 보다 훨씬 작고, 효율적인 40V, 1.1mΩ GaN FET 디바이스인 EPC2066을 출시했다.


인핸스먼트 모드 질화갈륨(eGaN) 전력 FET 및 IC 분야의 세계적인 선도기업인 EPC(Efficient Power Conversion Corporation)는 새로운 EPC2066(평균 0.8mΩ, 40V) GaN FET를 출시하고, 저전압 상용 GaN 트랜지스터 제품군을 확장했다. 


EPC2066은 손실이 적고, 크기가 작기 때문에 최신 서버 및 AI를 위한 높은 전력밀도의 40V – 60V에서 12V DC-DC 컨버터 2차측에 이상적인 스위치이다. 또한 전원공급장치 및 실버 박스 데이터센터 서버의 12V에 이르는 2차측 동기식 정류와 24V -32V의 고밀도 모터 드라이브 애플리케이션에도 매우 적합하다. 이 GaN FET는 고주파수 동작과 높은 효율 및 13.9mm2 의 초소형 풋프린트와 함께 최첨단 전력밀도를 지원한다.


EPC2066은 EPC의 이전 4세대 제품인 EPC2024와 풋프린트 호환이 가능하다. 5세대 제품의 향상된 면적 x RDS(on)이 적용된 EPC2066은 동일한 면적에서 온저항을 27%까지 줄일 수 있다. 


EPC의 공동설립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “EPC2066은 시장에 공급되는 다른 FET에 비해 온저항이 훨씬 더 작다.”며, “이 부품은 높은 전력밀도의 컴퓨팅 애플리케이션을 위해 최근 출시된 LLC DC-DC를 위한 EPC2071을 완벽하게 보완한다.”고 밝혔다.


EPC9174 레퍼런스 디자인 보드는 48V 입력에서 12V 출력 및 1.2kW를 지원하는  LLC 컨버터이다. 이 보드는 1차측 풀 브리지를 위한 EPC2071과 2차측 EPC2066을 갖추고 있다. 이 GaN FET는 소형의 22.9mm x 58.4mm x 10mm(전력밀도 1,472W/in3) 크기로 1MHz 스위칭 주파수와 1.2kW의 전력을 지원한다. 피크 효율은 550W에서 97.3%이며, 12V 에서 96.3%의 최대 부하 효율로 100A 출력을 제공한다. 


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