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EPC(Efficient Power Conversion)의  350V EPC2050 eGaN FET를 이용한 센시트론의 GaN 하프 브리지 모듈, SPG025N035P1B 

센시트론(Sensitron)은 크기와 비용을 절감할 수 있는 최신 세대 GaN 전력 모듈 개발에 주력해 왔다. 센시트론은 기존 실리콘 FET를 EPC의 350V EPC2050 GaN FET로 대체함으로써 솔루션 크기를 60%까지 줄이는 동시에, 모듈의 탁월한 접합부-케이스 간의 열 전도율을 더욱 개선할 수 있었다. 센시트론의 SPG025N035P1B는 통합 게이트 드라이브를 갖춘 높은 전력밀도의 350V, 20A GaN 하프 브리지로, 500KHz 스위칭 성능과 부유 인덕턴스에 최적화되어 있다. 정격 20A의 이 모듈은 3kW 이상을 제어하는데 사용할 수 있다. 또한 초소형, 경량 및 높은 전력밀도의 패키지(1.10" x 0.70" x 0.14")에 적용된 센시트론의 독보적인 상부 냉각 기술은 최적의 열 성능을 제공한다. SPG025N035P1B는 상업, 산업 및 항공우주 애플리케이션을 위해 설계되었다. 

SPG025N035P1B 모듈은 1.95mm x 1.95mm에 불과한 초소형 칩스케일 패키지로 최대 80mΩ의 R_DS(on)과 26A 피크 전류 전력을 제공하는 정격 350V GaN FET인 EPC2050을 사용한다. EPC2050은 센시트론 솔루션을 위해 낮은 스위칭 손실로 높은 효율과 극도로 작은 크기로 높은 전력밀도를 제공한다. 이외에도 EPC2050은 다중 레벨 컨버터와 전기자동차 충전, 태양광 전력 인버터, 라이다 및 LED 조명에도 매우 적합하다. 

센시트론의 신규 사업 개발 디렉터인 리차드 로카니(Richard Locarni)는 “EPC와 협력하게 되어 매우 기쁘게 생각한다.”며, “우리는 초소형 EPC2050 GaN FET를 사용하여 동급 실리콘 솔루션 보다 높은 효율과 3분의 1의 크기로 350V 하프 브리지 모듈을 설계할 수 있었으며, 초고밀도 애플리케이션에 대응할 수 있게 되었다.”고 밝혔다. 

EPC의 알렉스 리도우(Alex Lidow) CEO는 “ 이 애플리케이션은 GaN이 제공하는 실질적인 이점을 보여주는 좋은 예이다. 우리는 센시트론과 긴밀히 협력하여 모듈의 전력밀도 설계 요건을 충족하는 최상의 GaN FET를 지원할 수 있었다.”고 말했다.